Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23 032 ofert spośród 4 838 832 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 10,5 A PowerDI3333-8 100 V SMD 0.222 O. (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 10,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Seria = DMN10H220LDV Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-ź...
Diodes
DMN10H220LDV-7
od PLN 1,214*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET + Schottky; unipolarny; 30V; 2A; Idm: 8A (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TSOT25 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: 0,9W...
ROHM Semiconductor
QS5U13TR
od PLN 0,45*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 500V, 50A, TO-247 (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET, Typ=IXFH50N50P3, Ciągły prąd drenu (Id)=50 A, Czas narastania=8 ns, Czas opadania=10 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=53 ns, Czas opóźnienia włączenia=25 ns, Napięcie bramka-źródło...
IXYS
IXFH50N50P3
od PLN 48,57*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 100 A 8 x 8L 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = 8 x 8L Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Tryb kanałowy = Rozszerzenie...
Vishay
SQJQ936EL-T1_GE3
od PLN 14,573*
za szt.
 
 szt.
Infineon IPG20N04S4-09 tranzystor 40 V (2 ofert)
Infineon
IPG20N04S409ATMA1
od PLN 1,99*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 500V, 53A, ISOTOP (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET, Typ=STE53NC50, Ciągły prąd drenu (Id)=53 A, Czas narastania=70 ns, Czas opadania=38 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=45 ns, Czas opóźnienia włączenia=46 ns, Napięcie bramka-źródło=...
brak danych
STE53NC50
od PLN 127,49*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 10,5 A PowerDI3333-8 100 V SMD 0.222 O. (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET serii DiodesZetex DMN10H220LDV został zaprojektowany tak, aby zminimalizować opór stawiany przez komputer, zapewniając najwyższą wydajność przełączania, co czyni go idealnym rozwi...
Diodes
DMN10H220LDV-7
od PLN 3,31*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: N-MOSFET x2; IntelliFET™; unipolarny; 60V; 2,8A; 1,16W (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SM8 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 2,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,16W Polary...
Diodes
ZXMS6006DT8TA
od PLN 3,74*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 500V, 5A, TO-220AB (4 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=IRF830APBF, Ciągły prąd drenu (Id)=5 A, Czas narastania=21 ns, Czas opadania=15 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=21 ns, Czas opóźnienia włączenia=10 ns, Napięcie bramka-źródło=...
Vishay
IRF830APBF
od PLN 1,76*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 100 A 8 x 8L 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = 8 x 8L Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Tryb kanałowy = Rozszerzenie...
Vishay
SQJQ936EL-T1_GE3
od PLN 20 935,48*
za 2 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolarny; kaskodowy; 650V; 23A (1 Oferta) 
Producent: Qorvo (UnitedSiC) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 23A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Typ tranzystora: N-JFET/N-MOSFET Moc rozpraszana: 190W P...
Qorvo (UnitedSiC)
UJ3C065080K3S
od PLN 25,14*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 10,6 A V-DFN3030 30 V SMD 0.011 O. (1 Oferta) 
Funkcja MOSFET podwójnego n-kanalikowego wzmocnienia sygnału DiodesZetex została zaprojektowana w celu zminimalizowania oporności systemu RDS (ON), przy zachowaniu najwyższej wydajności przełączani...
Diodes
DMT3009UDT-7
od PLN 1,749*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; PolarHV™; unipolarny; 500V; 13A; Idm: 55A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024a Struktura półprzewodnika: podwójna szeregowa Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 13A Rezystancja w stanie przewod...
IXYS
FMM22-05PF
od PLN 65,59*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 100 A D2PAK (TO-263) 40 V SMD 0.0022 Ω, 0.0027 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Seria = AEC-Q101, Automotive, TrenchFET® Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna ...
Vishay
SQM40020EL_GE3
od PLN 4,61*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; PolarHV™; unipolarny; 600V; 12A; Idm: 66A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024a Struktura półprzewodnika: podwójna szeregowa Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewod...
IXYS
FMM22-06PF
od PLN 71,84*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   491   492   493   494   495   496   497   498   499   500   501   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.