Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 968 ofert spośród 4 919 082 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 100 A ECOPACK 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = ECOPACK Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Tryb kanałowy = Rozszerzeni...
ST Microelectronics
STK184N4F7AG
od PLN 3,161*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 10,6 A V-DFN3030 30 V SMD 0.011 O. (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 10,6 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Seria = DMT Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0....
Diodes
DMT3009UDT-7
od PLN 1,09*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 75A, TO-220 (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET, Typ=IRF1010ZPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=75 A, Czas narastania=150 ns, Czas opadania=92 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=36 ns, Czas opóźnienia włączenia=18 ns, Napięcie bramka-źród...
IR
IRF1010ZPBF
od PLN 5,26*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 100 A D2PAK (TO-263) 55 V SMD 0.0044 Ω (1 Oferta) 
Infineon seria OptiMOS N-kanałowy MOSFET w pakiecie D2-PAK. Posiada on najwyższe możliwości zasilania, najniższe straty mocy przy przełączaniu i przewodnictwie, co zapewnia najwyższą sprawność term...
Infineon
IPB100N06S2L05ATMA2
od PLN 7,409*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 12V; 5,5A; Idm: 35A; 1,7W (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: U-DFN2020-6 Napięcie dren-źródło: 12V Prąd drenu: 5,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 38mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,7W...
Diodes
DMN1025UFDB-7
od PLN 0,53*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 100 A PG-TDSON-8 80 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = PG-TDSON-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
IAUC100N08S5N031ATMA1
od PLN 13,909*
za 2 szt.
 
 paczka
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 20V; 5,3A; 1,6W; DFN8 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: DFN8 Struktura półprzewodnika: wspólny dren Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 5,3A Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,6W...
Alpha & Omega Semiconductor
AON3814
od PLN 1,27*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 85A, TO-263 (3 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=IRF1010NSTRLPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=85 A, Czas narastania=76 ns, Czas opadania=48 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=39 ns, Czas opóźnienia włączenia=13 ns, Napięcie bramka-ź...
Infineon
IRF1010NSTRLPBF
od PLN 2,86*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 100 A HSOP8S 100 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = HSOP8S Typ montażu = Montaż powierzchniowy
ROHM Semiconductor
RS6P100BHTB1
od PLN 5,678*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 20V; 0,9A; 0,27W; SC70 (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SC70 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 0,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,235Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,27W Polaryzacja: uni...
Vishay
SI1902CDL-T1-GE3
od PLN 0,47*
za szt.
 
 szt.
Infineon
BSZ16DN25NS3GATMA1
PLN 2,544*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 30V; 4,6A; 1,5W (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 4,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,5W Polaryzacja: unipola...
Vishay
SI4936CDY-T1-GE3
od PLN 1,29*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 95A, TO-247 (3 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=IRFP1405PBF, Ciągły prąd drenu (Id)=95 A, Czas narastania=160 ns, Czas opadania=150 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=140 ns, Czas opóźnienia włączenia=12 ns, Napięcie bramka-źr...
Infineon
IRFP1405PBF
od PLN 5,445*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 100 A DO 247 1200 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = DO 247 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4
Wolfspeed
C3M0021120K
od PLN 116,982*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 600V, 10A, TO-220AB (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET, Typ=STP10NK60Z, Ciągły prąd drenu (Id)=10 A, Czas narastania=20 ns, Czas opadania=30 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=55 ns, Czas opóźnienia włączenia=20 ns, Napięcie bramka-źródło...
brak danych
STP10NK60Z
od PLN 10,18*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   491   492   493   494   495   496   497   498   499   500   501   ..   1532   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.