Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 968 ofert spośród 4 919 082 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolarny; kaskodowy; 650V; 23A (1 Oferta) 
Producent: Qorvo (UnitedSiC) Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 23A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Typ tranzystora: N-JFET/N-MOSFET Moc rozpraszana: 190W P...
Qorvo (UnitedSiC)
UF3C065080K4S
od PLN 93,76*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 10 A TO-252 100 V SMD (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 10 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = TO-252 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie...
ROHM Semiconductor
RD3P100SNTL1
od PLN 1,72*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; PolarHV™; unipolarny; 600V; 12A; Idm: 66A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024a Struktura półprzewodnika: podwójna szeregowa Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewod...
IXYS
FMM22-06PF
od PLN 71,32*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 50V, 200mA, SOT-23 (3 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=BSS138L, Ciągły prąd drenu (Id)=200 mA, Czas narastania=18 ns, Czas opadania=14 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=36 ns, Czas opóźnienia włączenia=5 ns, Napięcie bramka-źródło=2...
onsemi
BSS138L
od PLN 0,165*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPAN70R450P7SXKSA1
od PLN 1,717*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolarny; kaskodowy; 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: Qorvo (UnitedSiC) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 47A Rezystancja w stanie przewodzenia: 35mΩ Typ tranzystora: N-JFET/N-MOSFET Moc rozpraszana: 429W ...
Qorvo (UnitedSiC)
UJ3C120040K3S
od PLN 108,09*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 10 A TO-220 650 V 0.36 Ω (1 Oferta) 
The ON Semiconductor SUPER FET series is brand new high voltage super junction MOSFET that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance...
onsemi
NTPF360N65S3H
od PLN 6,533*
za szt.
 
 szt.
Infineon PVDZ172N przekaźnik zasilający (2 ofert) 
Infineon PVDZ172N
Infineon
PVDZ172NPBF
od PLN 30,91*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 10 A TO-220 (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 10 A Typ opakowania = TO-220 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3
ST Microelectronics
STP80N450K6
od PLN 10,892*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolarny; kaskodowy; 650V; 47A (1 Oferta) 
Producent: Qorvo (UnitedSiC) Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 47A Rezystancja w stanie przewodzenia: 27mΩ Typ tranzystora: N-JFET/N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Pol...
Qorvo (UnitedSiC)
UJ3C065030B3
od PLN 138,65*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 10,3 A SO-8 100 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 10,3 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = SO-8 Typ montażu = Otwór przezierny
Infineon
IRF6644TRPBF
od PLN 5,762*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolarny; 30V; 9,6A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOP8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 9,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 15mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2,5W Polaryz...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJSD12N03A
od PLN 0,52*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 50V, 220mA, SOT-23 (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET, Typ=BSS138G, Ciągły prąd drenu (Id)=220 mA, Czas narastania=9 ns, Czas opadania=7 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=20 ns, Czas opóźnienia włączenia=2.5 ns, Napięcie bramka-źródło=2...
onsemi
BSS138G
od PLN 0,87*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 10A, TO-220AB (4 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=IRLZ14PBF, Ciągły prąd drenu (Id)=10 A, Czas narastania=110 ns, Czas opadania=26 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=17 ns, Czas opóźnienia włączenia=9.3 ns, Napięcie bramka-źródł...
Vishay
IRLZ14PBF
od PLN 1,86*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolarny; kaskodowy; 650V; 40A (1 Oferta) 
Producent: Qorvo (UnitedSiC) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 42mΩ Typ tranzystora: N-JFET/N-MOSFET Moc rozpraszana: 326W P...
Qorvo (UnitedSiC)
UF3C065040K3S
od PLN 142,82*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   491   492   493   494   495   496   497   498   499   500   501   ..   1532   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.