Podgląd | "MOSFET"Pojęcia nadrzędne |
|  | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
|
Microchip Technology MIC2005-1.2YM6-TR |
od PLN 3,95*
za szt. |
| |
MOSFET N-kanałowy 10 A Taśma i szpula 800 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 10 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 800 V Typ opakowania = Taśma i szpula Typ montażu = Montaż powierzchniowy Tryb kanałowy = Rozszerzenie |
ST Microelectronics STD80N450K6 |
od PLN 7,445*
za szt. |
| |
Transoptor; SMD; Ch: 1; OUT: MOSFET; 1,5kV; SOP4 (1 Oferta) Producent: TOSHIBA Montaż: SMD Obudowa: SOP4 Czas załączania: 500µs Czas wyłączania: 0,5ms Liczba kanałów: 1 Rodzaj wyjścia: MOSFET Napięcie izolacji: 1,5kV Typ optoizolatora: transoptor |
|
od PLN 4,52*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 500V, 4.5A, TO-220AB (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRF830PBF, Ciągły prąd drenu (Id)=4.5 A, Czas narastania=16 ns, Czas opadania=16 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=42 ns, Czas opóźnienia włączenia=8.2 ns, Napięcie bramka-źródł... |
|
od PLN 2,13*
za szt. |
| |
MOSFET N-kanałowy 10 A TO-220 650 V 0.36 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 10 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = SUPERFET III Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło =... |
|
od PLN 13,446*
za szt. |
| |
|
Microchip Technology MIC2548-1YMM |
od PLN 2,05*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 500V, 44A, TO-247 (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IXFH44N50Q3, Ciągły prąd drenu (Id)=44 A, Czas narastania=13 ns, Czas opadania=9 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=37 ns, Czas opóźnienia włączenia=30 ns, Napięcie bramka-źródło... |
|
od PLN 53,06*
za szt. |
| |
MOSFET N-kanałowy 10 A SOT-223 650 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 10 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = SOT-223 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ = 1 |
Infineon IPN60R360PFD7SATMA1 |
od PLN 2,68*
za szt. |
| |
|
Microchip Technology MIC2004-1.2YM5-TR |
od PLN 2,87*
za szt. |
| |
MOSFET N-kanałowy 10 A SO-8 80 V (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 10 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = SO-8 Typ montażu = Otwór przezierny |
|
od PLN 2,641*
za szt. |
| |
|
Microchip Technology MIC2548-2YM |
od PLN 3,46*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 500V, 50A, TO-247 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=IXFH50N50P3, Ciągły prąd drenu (Id)=50 A, Czas narastania=8 ns, Czas opadania=10 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=53 ns, Czas opóźnienia włączenia=25 ns, Napięcie bramka-źródło... |
|
od PLN 48,45*
za szt. |
| |
MOSFET N-kanałowy 10 A TO-220 650 V 0.36 Ω (1 Oferta) The ON Semiconductor SUPER FET series is brand new high voltage super junction MOSFET that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance... |
|
od PLN 6,768*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 3,97*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 500V, 53A, ISOTOP (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=STE53NC50, Ciągły prąd drenu (Id)=53 A, Czas narastania=70 ns, Czas opadania=38 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=45 ns, Czas opóźnienia włączenia=46 ns, Napięcie bramka-źródło=... |
|
od PLN 149,49*
za szt. |
| |
|
