Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 968 ofert spośród 4 919 085 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 98 A LFPAK56D 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 98 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = LFPAK56D Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na układ = 2
Nexperia
PSMN4R2-40VSHX
od PLN 6,558*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolarny; 600V; 9A; 63W; TO262 (1 Oferta) 
Producent: WAYON Montaż: THT Obudowa: TO262 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,54Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 63W Polaryzacja: unipolarny...
WAYON
WMN11N60C2
od PLN 1,72*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPD90R1K2C3ATMA1
od PLN 4,70*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 91 A HiP247-4 1200 V 0.03 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 91 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = HiP247-4 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-źr...
ST Microelectronics
SCTWA70N120G2V-4
od PLN 296,497*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 900V; 32A; 960W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 900V Prąd drenu: 32A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 960W Polaryzacja: unipolarny...
IXYS
IXFK32N90P
od PLN 125,63*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 900 mA X1-DFN1212 20 V SMD Pojedynczy 890 mW 1,6 milioma (2 ofert) 
Tranzystor MOSFET został zaprojektowany w taki sposób, aby zminimalizować odporność na zmiany stanu (RDS(ON)), a przy tym zachować najwyższą wydajność przełączania, co czyni go idealnym rozwiązanie...
Diodes
DMN2450UFD-7
od PLN 0,22*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolarny; 600V; 5A; 42W; TO252 (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: WAYON Montaż: SMD Ob...
WAYON
WMO07N60C2
od PLN 1,06*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 98 A SuperSO8 5 x 6 40 V SMD 0.0044 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 98 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Seria = OptiMOS™ Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło =...
Infineon
BSC032N04LSATMA1
od PLN 2,09*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolarny; 650V; 13A; 86W; TO251 (1 Oferta) 
Producent: WAYON Montaż: THT Obudowa: TO251 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 13A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,32Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 86W Polaryzacja: unipolarn...
WAYON
WMP16N65C2
od PLN 2,30*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 97 A TO-220 100 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 97 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = TO-220 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Licz...
Infineon
IRF100B202
od PLN 3,911*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 91 A PowerDI5060-8 100 V SMD 0.8 O. (1 Oferta) 
Seria DiodesZetex DMTH10H009LPSQ to N-kanałowy system MOSFET, który został zaprojektowany tak, aby spełniać rygorystyczne wymagania zastosowań motoryzacyjnych.Niska pojemność wejściowa Wysoka szybk...
Diodes
DMTH10H009LPSQ-13
od PLN 2,533*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 900V; 4,4A; 104W; PG-TO262-3 (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: INFINEON TECHNOLOGIE...
Infineon
IPI90R800C3XKSA1
od PLN 3,99*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 91 A HiP247-4 1200 V 0.03 Ω (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 91 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = HiP247-4 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-źr...
ST Microelectronics
SCTWA70N120G2V-4
od PLN 155,62*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolarny; 600V; 5A; 42W; TO262 (1 Oferta) 
Producent: WAYON Montaż: THT Obudowa: TO262 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,14Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 42W Polaryzacja: unipolarny...
WAYON
WMN07N60C2
od PLN 1,08*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 98 A TDSON-8 FL 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 98 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = TDSON-8 FL Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na układ...
Infineon
ISC036N04NM5ATMA1
od PLN 2,961*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   1011   1012   1013   1014   1015   1016   1017   1018   1019   1020   1021   ..   1532   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.