Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

MOSFET N-kanałowy 10 A LSON-8 600 V SMD 0.19 Ω


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2320418
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     IGLD60R190D1AUMA3
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
MOSFET
Tranzystor MOSFET
Tranzystory MOSFET
Tranzystor
Typ kanału = N
Maksymalny ciągły prąd drenu = 10 A
Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V
Seria = CoolGaN
Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Liczba styków = 8
Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.19 Ω
Maksymalne napięcie progowe VGS = 1.6V
Liczba elementów na układ = 1
Dalsze informacje:
Typ kanału:
N
Maksymalny ciągły prąd drenu:
10 A
Maksymalne napięcie dren-źródło:
600 V
Typ opakowania:
LSON-8
Seria:
CoolGaN
Typ montażu:
Montaż powierzchniowy
Liczba styków:
8
Maksymalna rezystancja dren-źródło:
0.19 Ω
Maksymalne napięcie progowe VGS:
1.6V
Liczba elementów na układ:
1
Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, tranzystor mosfet, 2320418, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, IGLD60R190D1AUMA3
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 10,677*
  
Cena obowiązuje od 30 000 szt.
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 3 000 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 3000 szt.
PLN 10,817*
PLN 13,305
za szt.
od 6000 szt.
PLN 10,787*
PLN 13,268
za szt.
od 15000 szt.
PLN 10,697*
PLN 13,157
za szt.
od 30000 szt.
PLN 10,677*
PLN 13,133
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.