 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
Tranzystor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN (1 Oferta) Producent: TOSHIBA Montaż: THT Obudowa: TO3PN Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±25V Prąd kolektora: 44A Prąd kolektora w impulsie: 100A Czas załączania: 250ns Czas wyłączani... |
Toshiba GT50JR22(STA1,E,S) |
od PLN 11,81*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 53 A Uce 600 V PG-TO247-3-AI Izolacja 141 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 53 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20 V, ±30 V Maksymalna strata mocy = 141 W Typ opakowania = PG-TO247-3-AI Li... |
Infineon IKFW60N60DH3EXKSA1 |
od PLN 17,077*
za szt. |
|
|
|
Alpha & Omega Semiconductor AOD6B60M1 |
od PLN 1,51*
za szt. |
|
|
|
Alpha & Omega Semiconductor AOK75B60D1 |
od PLN 15,35*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 51 A Uce 650 V 1 TO-247GE 156 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 51 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 156 W Typ opakowania = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGWS60TS65DGC13 |
od PLN 6 224,34*
za 600 szt. |
|
|
IGBT Ic 51 A Uce 650 V 1 TO-247GE 156 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 51 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGWS60TS65GC13 |
od PLN 8,861*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 600V; 49A; 463W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 49A Prąd kolektora w impulsie: 120A Czas załączania: 31ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT30GP60BG |
od PLN 40,19*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 55 A Uce 650 V PG-TO247-3 188 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 55 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20 V, ±30 V Maksymalna strata mocy = 188 W Typ opakowania = PG-TO247-3 Liczb... |
|
od PLN 10,804*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 55 Uce 650 V 1 TO-247GE 1.94 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 55 Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 1.94 mW Typ opakowania = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGT60TS65DGC13 |
od PLN 13,29*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 55 A Uce 650 V 1 188 188 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 55 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = 188 Typ montażu = Otwór przez... |
|
od PLN 6,463*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 59 A Uce 650 V 1 SOT-227 kanał: N 163 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 59 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Maksymalna strata mocy = 163 W Typ opakowania = SOT-227 Typ montażu = M... |
|
od PLN 118,705*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 600V; 93A; 536W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 93A Prąd kolektora w impulsie: 225A Czas załączania: 95ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT75GN60BG |
od PLN 37,25*
za szt. |
|
|
|
ST Microelectronics STGIPQ4C60T-HZ |
od PLN 22,291*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 600V; 7A; 24W; TO220FP (1 Oferta) Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 7A Prąd kolektora w impulsie: 28A Typ tranzystora: IGBT Moc ... |
ST Microelectronics STGF7H60DF |
od PLN 3,41*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 600V; 8,5A; 38W; DPAK (1 Oferta) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie kolektor-emiter: 600V Prąd kolektora: 8,5A Typ tranzystora: IGBT Moc rozpraszana: 38W Właściwości elementów półprzewodnikowych: i... |
|
od PLN 3,48*
za szt. |
|
|
