 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
IGBT Ic 50 A Uce 650 V 1 TO-247GE 174 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGTH50TS65DGC13 |
od PLN 12,558*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 50 A Uce 650 V 1 D2PAK (TO-263) 167 W (2 ofert) Seria STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 stanowi ewolucję zastrzeżonej przez firmę Advanced struktury bramkowania rowów. Wydajność serii HB2 jest zoptymalizowana pod względem przewodzenia, dzięki le... |
ST Microelectronics STGB30H65DFB2 |
od PLN 4,708*
za szt. |
|
|
|
Alpha & Omega Semiconductor AOK50B60D1 |
od PLN 11,81*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 50 A Uce 650 V 1 TO-220FP 50 W (1 Oferta) Seria STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 stanowi ewolucję zastrzeżonej przez firmę Advanced struktury bramkowania rowów. Wydajność serii HB2 jest zoptymalizowana pod względem przewodzenia, dzięki le... |
ST Microelectronics STGF30H65DFB2 |
od PLN 6,864*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 600V; 3,9A; 25W; TO220AB (1 Oferta) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie kolektor-emiter: 600V Prąd kolektora: 3,9A Typ tranzystora: IGBT Moc rozpraszana: 25W Rodzaj opakowania: tuba Właściwości elem... |
|
od PLN 3,03*
za szt. |
|
|
|
Infineon IKWH50N65WR6XKSA1 |
od PLN 10,305*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 8 A Uce 600 V 1 PG-TO-220-3 42 W (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 8 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 42 W Typ opakowania = PG-TO-220-3 Typ montażu ... |
|
od PLN 2,36*
za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGW00TS65CHRC11 |
od PLN 39,489*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 50 A Uce 650 V 1 TO-247 167 W (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 167 W Typ opakowania = TO-247 Liczba styków = 3 |
ST Microelectronics STGWA30H65DFB2 |
od PLN 7,123*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 10,54*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 50 A Uce 650 V 1 TO-247 416 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 416 W Typ opakowania = TO-247 |
|
od PLN 14,76*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 30A Typ tranzystora: IGBT Moc rozpraszana: 187W Rodzaj op... |
|
od PLN 7,66*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 50 A Uce 650 V 1 TO-247GE 174 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGTH50TS65GC13 |
od PLN 11,412*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 600V; 4A; 75W; DPAK (1 Oferta) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 4A Prąd kolektora w impulsie: 12A Typ tranzystora: IGBT Moc ... |
|
od PLN 2,82*
za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGW00TS65EHRC11 |
od PLN 23,042*
za szt. |
|
|
