 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
IGBT Ic 50 A Uce 650 V PG-TO247-3 282 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 282 W Typ opakowania = PG-TO247-3 |
|
od PLN 11,636*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 600V; 40A; 130W; TO220AB (1 Oferta) Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 40A Prąd kolektora w impulsie: 60A Typ tranzystora: IGBT Moc... |
ST Microelectronics STGP19NC60HD |
od PLN 6,92*
za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGWX5TS65HRC11 |
od PLN 32,376*
za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGW00TS65CHRC11 |
od PLN 39,469*
za szt. |
|
|
|
Alpha & Omega Semiconductor AOK75B60D1 |
od PLN 16,49*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 51 A Uce 650 V 1 TO-247GE 156 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 51 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 156 W Typ opakowania = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGWS60TS65DGC13 |
od PLN 6 230,58*
za 600 szt. |
|
|
IGBT Ic 51 A Uce 650 V 1 TO-247GE 156 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 51 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 156 W Typ opakowania = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGWS60TS65GC13 |
od PLN 8,861*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 50 A Uce 650 V PG-TO247-3 282 W (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 282 W Typ opakowania = PG-TO247-3 |
|
od PLN 8,024*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 600V; 93A; 536W; TO264 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 93A Prąd kolektora w impulsie: 225A Czas załączania: 95ns Cz... |
Microchip Technology APT75GN60LDQ3G |
od PLN 44,70*
za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGW00TS65EHRC11 |
od PLN 23,052*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 53 A Uce 600 V PG-TO247-3-AI Izolacja 141 W (2 ofert) Tranzystor bibiegunowy z izolowaną bramką Infineon jest wyposażony w szybką i miękką diodę antyrównoległą Rapid 1 w całkowicie izolowanym opakowaniu.Wysoka sprawność Niskie straty przy przełączanie... |
Infineon IKFW60N60DH3EXKSA1 |
od PLN 10,489*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 80 A Uce 600 V PG-TO247-3 428 W (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 428 W Typ opakowania = PG-TO247-3 Liczba styków... |
|
od PLN 20,441*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 55 A Uce 650 V 1 188 188 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 55 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = 188 Typ montażu = Otwór przez... |
|
od PLN 6,453*
za szt. |
|
|
|
Alpha & Omega Semiconductor AOT10B65M2 |
od PLN 3,16*
za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGWX5TS65DHRC11 |
od PLN 25,268*
za szt. |
|
|
