 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
IGBT Ic 55 Uce 650 V 1 TO-247GE 1.94 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 55 Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 1.94 mW Typ opakowania = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGT60TS65DGC13 |
od PLN 7,931*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 2,346*
za szt. |
|
|
|
Alpha & Omega Semiconductor AOTF15B65M3 |
od PLN 3,18*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 1,824*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 59 A Uce 650 V 1 SOT-227 kanał: N 163 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 59 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = SOT-227 Typ montażu = Montaż n... |
|
od PLN 988,66*
za 10 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 600V; 85A; 350W; SUPER247 (1 Oferta) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: SUPER247 Napięcie kolektor-emiter: 600V Prąd kolektora: 85A Typ tranzystora: IGBT Moc rozpraszana: 350W Rodzaj opakowania: tuba |
|
od PLN 28,93*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 6 A Uce 600 V 6 N2DIP-26L TYP Z Szereg 12,5 W (1 Oferta) STMicroelectronics STGIPQ4C60T-HZ SLLIMM nano - 2nd Series IPM, 3-fazowy falownik, 6 A, 600 V krótki obwód wzmocniony IGBT to najbardziej nowatorska konstrukcja, która składa się z układów scalonyc... |
ST Microelectronics STGIPQ4C60T-HZ |
od PLN 34,601*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 7,121*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 650V; 15A; 24W; ITO220AB (1 Oferta) Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: THT Obudowa: ITO220AB Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 15A Prąd kolektora w impulsie: 60A Czas załączania: 46ns C... |
|
od PLN 3,75*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 600V; 80A; 625W; TO264 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 80A Prąd kolektora w impulsie: 240A Czas załączania: 52ns C... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT80GA60LD40 |
od PLN 68,16*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 1,386*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 75 A Uce 650 V 1 TO-247 kanał: N 536 W (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20 V, ±30V Maksymalna strata mocy = 536 W Typ opakowania = TO-247 Typ montaż... |
|
od PLN 22,19*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 1,807*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 600V; 62A; 543W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 62A Prąd kolektora w impulsie: 160A Czas załączania: 49ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT40GP60BG |
od PLN 66,19*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 60 A Uce 600 V 1 PG-TO220-3 187 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 60 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = PG-TO220-3 Typ montażu = Otwó... |
|
od PLN 6,198*
za szt. |
|
|
