 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
IGBT Ic 60 A Uce 600 V PG-TO247-3 187 W (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 60 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 187 W Typ opakowania = PG-TO247-3 Liczba styków... |
|
od PLN 18,39*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 600V; 40A; 160W; D2PAK (1 Oferta) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie kolektor-emiter: 600V Prąd kolektora: 40A Typ tranzystora: IGBT Moc rozpraszana: 160W Rodzaj opakowania: rolka |
|
od PLN 3 529,304*
za 800 szt. |
|
|
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V AG-ECONO2B-411 280 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 280 W Typ opakowania = AG-ECONO2B-411 |
Infineon FP50R12KT4B11BPSA1 |
od PLN 424,6062*
za szt. |
|
|
|
Infineon FP50R12W2T7B11BOMA1 |
od PLN 206,70*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 600V; 21A; 140W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 21A Prąd kolektora w impulsie: 60A Typ tranzystora: IGBT Moc... |
ST Microelectronics STGW19NC60HD |
od PLN 8,03*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 50 A Uce 650 V 1 TO-220FP 50 W (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-220FP Liczba styków = 3 |
ST Microelectronics STGF30H65DFB2 |
od PLN 4,76*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V AG-ECONO2B-411 280 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 280 W Typ opakowania = AG-ECONO2B-411 |
Infineon FS50R12KT4B15BPSA1 |
od PLN 451,4042*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 53 A Uce 600 V PG-TO247-3-AI Izolacja 141 W (2 ofert) Tranzystor bibiegunowy z izolowaną bramką Infineon jest wyposażony w szybką i miękką diodę antyrównoległą Rapid 1 w całkowicie izolowanym opakowaniu.Wysoka sprawność Niskie straty przy przełączanie... |
Infineon IKFW60N60DH3EXKSA1 |
od PLN 15,518*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 438,735*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 50 A Uce 650 V 1 D2PAK (TO-263) 167 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = D2PAK (TO-263) Liczba styków = 3 |
ST Microelectronics STGB30H65DFB2 |
od PLN 4,552*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 50 A Uce 650 V 1 TO-247 416 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247 |
|
od PLN 10,349*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 600V; 48A; 250W; TO262 (1 Oferta) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO262 Napięcie kolektor-emiter: 600V Prąd kolektora: 48A Typ tranzystora: IGBT Moc rozpraszana: 250W Rodzaj opakowania: tuba Właściwości elemen... |
|
od PLN 15,05*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 600V; 49A; 230W; TO3PN (1 Oferta) Producent: TOSHIBA Montaż: THT Obudowa: TO3PN Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±25V Prąd kolektora: 49A Prąd kolektora w impulsie: 100A Czas załączania: 430ns Czas wyłączani... |
Toshiba GT50JR21(STA1,E,S) |
od PLN 12,78*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V AG-ECONO2B-711 (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Typ opakowania = AG-ECONO2B-711 |
|
od PLN 401,597*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 50 A Uce 650 V 1 TO-247 167 W (1 Oferta) Seria STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 stanowi ewolucję zastrzeżonej przez firmę Advanced struktury bramkowania rowów. Wydajność serii HB2 jest zoptymalizowana pod względem przewodzenia, dzięki le... |
ST Microelectronics STGWA30H65DFB2 |
od PLN 9,025*
za szt. |
|
|
