 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
|
Infineon FP50R12W2T7B11BOMA1 |
od PLN 206,74*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V AG-ECONO2B-711 (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Typ opakowania = AG-ECONO2B-711 |
|
od PLN 6 048,308*
za 15 szt. |
|
|
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V 7 Moduł 3-fazy kanał: N 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 7 Typ opakowania = Moduł Typ montażu = Montaż w o... |
|
od PLN 3 824,64*
za 10 szt. |
|
|
|
|
od PLN 438,165*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 600V; 40A; 130W; TO220AB (1 Oferta) Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 40A Prąd kolektora w impulsie: 60A Typ tranzystora: IGBT Moc... |
ST Microelectronics STGP19NC60HD |
od PLN 6,87*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 600V; 15A; 30W; TO220FP (1 Oferta) Producent: TOSHIBA Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±25V Prąd kolektora: 15A Prąd kolektora w impulsie: 60A Czas załączania: 180ns Czas wyłączan... |
|
od PLN 4,87*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V AG-ECONO2B-411 280 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 280 W Typ opakowania = AG-ECONO2B-411 |
Infineon FP50R12KT4B11BPSA1 |
od PLN 424,5562*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 50 A Uce 650 V 1 D2PAK (TO-263) 167 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = D2PAK (TO-263) Liczba styków = 3 |
ST Microelectronics STGB30H65DFB2 |
od PLN 4,572*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V AG-ECONO2B-711 (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Typ opakowania = AG-ECONO2B-711 |
|
od PLN 402,227*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 600V; 40A; 160W; D2PAK (1 Oferta) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie kolektor-emiter: 600V Prąd kolektora: 40A Typ tranzystora: IGBT Moc rozpraszana: 160W Rodzaj opakowania: rolka Cena jednostkowa:... |
|
od PLN 3 546,04*
za 800 szt. |
|
|
IGBT Ic 50 A Uce 650 V 1 TO-220FP 50 W (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-220FP Liczba styków = 3 |
ST Microelectronics STGF30H65DFB2 |
od PLN 4,79*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V AG-ECONO2B-411 280 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 280 W Typ opakowania = AG-ECONO2B-411 |
Infineon FS50R12KT4B15BPSA1 |
od PLN 452,1442*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 50 A Uce 650 V 1 TO-247 167 W (1 Oferta) Seria STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 stanowi ewolucję zastrzeżonej przez firmę Advanced struktury bramkowania rowów. Wydajność serii HB2 jest zoptymalizowana pod względem przewodzenia, dzięki le... |
ST Microelectronics STGWA30H65DFB2 |
od PLN 9,065*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 600V; 48A; 250W; TO262 (1 Oferta) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO262 Napięcie kolektor-emiter: 600V Prąd kolektora: 48A Typ tranzystora: IGBT Moc rozpraszana: 250W Rodzaj opakowania: tuba Cena jednostkowa: ... |
|
od PLN 15,18*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 50 A Uce 650 V 1 TO-220FP 50 W (1 Oferta) Seria STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 stanowi ewolucję zastrzeżonej przez firmę Advanced struktury bramkowania rowów. Wydajność serii HB2 jest zoptymalizowana pod względem przewodzenia, dzięki le... |
ST Microelectronics STGF30H65DFB2 |
od PLN 6,884*
za szt. |
|
|
