Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > IGBT

  IGBT  (3 888 ofert spośród 4 773 679 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „IGBT“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"IGBT"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor IGBT, 2.5kV, 95A, TO-247HV (2 ofert) 
Tranzystor IGBT, Typ=IXYH25N250CHV, Ciągły prąd kolektora (Ic)=95 A, Napięcie bramka-emiter (Vge)=20 V, Napięcie kolektor-emiter (Vceo)=2.5 kV, Napięcie nasycenia emitera kolektora maks. (Vce(sat))...
IXYS
IXYH25N250CHV
od PLN 98,45*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 104 A Uce 650 V 1 TO-247GE 288 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 104 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGWSX2TS65GC13
od PLN 12,112*
za szt.
 
 szt.
IC: driver; półmostek IGBT,półmostek MOSFET; SO16-W; -5÷2,5A (1 Oferta) 
Producent: TEXAS INSTRUMENTS Montaż: SMD Temperatura pracy: -40...125°C Obudowa: SO16-W Napięcie zasilania: 15...30V DC Prąd wyjściowy: -5...2,5A Typ układu scalonego: driver Czas narastania impuls...
Texas Instruments
ISO5452DW
od PLN 12,53*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor IGBT, 2.5kV, 95A, TO-247HV (2 ofert) 
Tranzystor IGBT, Typ=IXYX25N250CV1HV, Ciągły prąd kolektora (Ic)=95 A, Napięcie bramka-emiter (Vge)=20 V, Napięcie kolektor-emiter (Vceo)=2.5 kV, Napięcie nasycenia emitera kolektora maks. (Vce(sat...
IXYS
IXYX25N250CV1HV
od PLN 147,73*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 100 A Uce 650 V 1 TO-247 Pojedynczy kanał: N 134 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30.0V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247 Typ kanału = N Liczba...
onsemi
FGHL50T65SQDT
od PLN 13,00*
za szt.
 
 szt.
IC: driver; półmostek IGBT; high-/low-side,sterownik bramkowy (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Temperatura pracy: -40...125°C Obudowa: SSOP24 Moc: 1,5W Napięcie zasilania: 10,4...20V DC Czas załączania: 440ns Czas wyłączania: 440ns Prąd wyjściowy:...
Infineon
IR2114SSPBF
od PLN 26,64*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Semikron SKM400GA12V SEMITRANS R 4, 1200 V, 612 A (1 Oferta) 
Moduł IGBT SEMITRANS® Semikron 22892103 | Dane techniczne: Czas opóźnienia t(d)(on): 350 ns · I (CM): 1200 A · Kod producenta: SKR · Konfiguracja: Pojedynczy · Napięcie kolektora-emitera U(CES): 12...
Semikron
22892103
od PLN 853,66*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 11,9 A Uce 11,4 V PG-SOT23-6-3 Wspólny nadajnik kanał: N 500 mW (1 Oferta) 
Jednokanałowy sterownik bramki niskokanałowej Infineon EiceDRIVER™ 25 V do IGBT o typowym prądom źródłowym 2.6 A i prądy zlewu w małym pakiecie PG-SOT23 z 6 odprowadzeń.-0,246 V próg nadprądu z dok...
Infineon
1ED44175N01BXTSA1
od PLN 1,323*
za szt.
 
 szt.
IC: driver; półmostek IGBT; high-side,sterownik bramkowy IGBT (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-DSO-18 Napięcie zasilania: 14...18V;0...5V Prąd wyjściowy: -2...1A Typ układu scalonego: driver Liczba kanałów: 2 Właściwości układów scalon...
Infineon
2ED020I12-FI
od PLN 5,03*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor IGBT, 600V, 20A, TO-247 (3 ofert) 
Tranzystor IGBT, Typ=IKW20N60TFKSA1, Ciągły prąd kolektora (Ic)=20 A, Napięcie bramka-emiter (Vge)=20 V, Napięcie kolektor-emiter (Vceo)=600 V, Napięcie nasycenia emitera kolektora maks. (Vce(sat))...
Infineon
IKW20N60TFKSA1
od PLN 9,35*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor IGBT IXYS IXGN200N60B3, SOT- 227B, N -channel, 600 V (2 ofert) 
Tranzysor IGBT IXYS IXGN200N60B3 | Dane techniczne: Czas opóźnienia t(d)(on): 44 ns · I (CM): 1200 A · Kod producenta: IXY · Konfiguracja: Pojedynczy · Moc (maks) P(TOT): 830 W · Napięcie kolektora...
IXYS
IXGN200N60B3
od PLN 136,99*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 100 A Uce 650 V 1 TO-247 Pojedynczy 268 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Otwór prz...
onsemi
FGHL50T65SQ
od PLN 7,332*
za szt.
 
 szt.
IC: driver; półmostek IGBT,półmostek MOSFET; SO8; -500÷250mA (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Temperatura pracy: -40...125°C Obudowa: SO8 Napięcie zasilania: 10...20V DC Prąd wyjściowy: -500...250mA Typ układu scalonego: driver Czas narastania impulsu: 160ns Cz...
onsemi
NCP5111DR2G
od PLN 2,77*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor IGBT, 600V, 223A, SMPD (2 ofert) 
Tranzystor IGBT, Typ=MMIX1Y100N120C3H1, Ciągły prąd kolektora (Ic)=223 A, Napięcie bramka-emiter (Vge)=20 V, Napięcie kolektor-emiter (Vceo)=600 V, Napięcie nasycenia emitera kolektora maks. (Vce(s...
IXYS
MMIX1Y100N120C3H1
od PLN 148,74*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 25 A Uce 600 V TO-220 Pojedynczy kanał: N (3 ofert) 
Dyskretne IGBT STMicroelectronics
ST Microelectronics
STGP7NC60HD
od PLN 2,609*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   41   42   43   44   45   46   47   48   49   50   51   ..   260   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.