Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > IGBT

  IGBT  (3 948 ofert spośród 5 013 753 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „IGBT“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"IGBT"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
IC: driver; mostek 3-fazowy IGBT; SLLIMM nano; NDIP-26L; 3A; Ch: 6 (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Temperatura pracy: -40...125°C Obudowa: NDIP-26L Napięcie pracy: 12...17/0...500V DC Częstotliwość: 25kHz Napięcie kolektor-emiter: 600V Prąd wyjściowy: 3A...
ST Microelectronics
STGIPN3H60
od PLN 30,00*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 55 A Uce 650 V 1 188 188 W (3 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 55 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 188 W Typ opakowania = 188 Typ montażu = Otwó...
Infineon
IKP30N65H5XKSA1
od PLN 6,311*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 100 A Uce 1200 V PG-TO247-4-2 652 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 652 W Typ opakowania = PG-TO247-4-2
Infineon
IKY50N120CH3XKSA1
od PLN 31,14*
za szt.
 
 szt.
Infineon IM393-M6F (2 ofert)
Infineon
IM393M6FXKLA1
od PLN 41,883*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 74 A Uce 650 V 1 PG-TO220 Pojedynczy kanał: N 255 W (3 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 74 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 30V Maksymalna strata mocy = 255 W Typ opakowania = PG-TO220 Typ kanału = N L...
Infineon
IKP40N65F5XKSA1
od PLN 5,524*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 100 A Uce 650 V 1 TO-247 Pojedynczy kanał: N 134 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30.0V Maksymalna strata mocy = 134 W Typ opakowania = TO-247 Typ kanału = N...
onsemi
FGHL50T65SQDT
od PLN 8,288*
za szt.
 
 szt.
IC: driver; półmostek IGBT; EiceDRIVER™; PG-DSO-8; -0,7÷0,36A (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-DSO-8 Napięcie zasilania: 10...20V Prąd wyjściowy: -0,7...0,36A Typ układu scalonego: driver Liczba kanałów: 2 Właściwości układów scalonych...
Infineon
2EDL05I06BFXUMA1
od PLN 2,65*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 74 A Uce 650 V PG-TO220-3 250 W (3 ofert) 
Dwubiegunowy tranzystor dwubiegunowy Infineon 650v piątej generacji z izolowanymi bramkami i diodą z serii szybkich przełączników w technologii trenchstop.Wysoka sprawność Niskie straty przy przełą...
Infineon
IKP40N65H5XKSA1
od PLN 5,493*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor IGBT, 650V, 30A, TO-247 (4 ofert) 
Tranzystor IGBT, Typ=IKW30N65H5XKSA1, Ciągły prąd kolektora (Ic)=30 A, Napięcie bramka-emiter (Vge)=20 V, Napięcie kolektor-emiter (Vceo)=650 V, Napięcie nasycenia emitera kolektora maks. (Vce(sat)...
Infineon
IKW30N65H5XKSA1
od PLN 10,69*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 100 A Uce 650 V AG-ECONO2B-411 335 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 335 W Typ opakowania = AG-ECONO2B-411
Infineon
FS100R07N2E4BPSA1
od PLN 6 465,139*
za 15 szt.
 
 paczka
IC: driver; półmostek IGBT,półmostek MOSFET; SO8; -500÷250mA (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Temperatura pracy: -40...125°C Obudowa: SO8 Napięcie zasilania: 10...20V DC Prąd wyjściowy: -500...250mA Typ układu scalonego: driver Czas narastania impulsu: 160ns Cz...
onsemi
NCP5109ADR2G
od PLN 2,45*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 160 A Uce 600 V 1 PG-TO247 Pojedynczy kanał: N 833 W (3 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 160 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 1 Konfiguracja = Pojedyncza Typ kanału = N Liczba ...
Infineon
IKQ120N60TXKSA1
od PLN 30,88*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 100 A Uce 600 V 1 PG-TO247-3 333 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = PG-TO247-3 Typ montażu = Otw...
Infineon
IGW50N60H3FKSA1
od PLN 11,744*
za szt.
 
 szt.
IC: driver; półmostek IGBT,półmostek MOSFET; SO28; -2÷2A; Ch: 2 (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: IXYS Montaż: SMD Tem...
IXYS
IX2120B
od PLN 10,42*
za szt.
 
 szt.
IC: driver; mostek 3-fazowy IGBT; Motion SPM® 3; SPMMC-027; 10A (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Temperatura pracy: -40...150°C Obudowa: SPMMC-027 Napięcie pracy: 13,5...16,5/0...800V DC Częstotliwość: 20kHz Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Prąd wyjściowy: 10A Typ ...
onsemi
FSBB10CH120D
od PLN 117,88*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   41   42   43   44   45   46   47   48   49   50   51   ..   264   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.