Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > IGBT

  IGBT  (3 962 ofert spośród 4 914 765 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „IGBT“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"IGBT"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 20A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS3 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 20A Prąd kolektora w impulsi...
SEMIKRON DANFOSS
SKM200GAL125D 22890740
od PLN 658,62*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Semikron SKM400GA12V SEMITRANS R 4, 1200 V, 612 A (1 Oferta) 
Moduł IGBT SEMITRANS® Semikron 22892103 | Dane techniczne: Czas opóźnienia t(d)(on): 350 ns · I (CM): 1200 A · Kod producenta: SKR · Konfiguracja: Pojedynczy · Napięcie kolektora-emitera U(CES): 12...
Semikron
22892103
od PLN 851,02*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 100 A Uce 650 V 1 TO-247 Pojedynczy kanał: N 660 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 660 W Typ opakowania = TO-247 Typ kanału = N L...
onsemi
AFGY100T65SPD
od PLN 28,369*
za szt.
 
 szt.
IC: driver; półmostek IGBT; sterownik bramkowy; SO8; -600÷290mA (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Temperatura pracy: -40...125°C Obudowa: SO8 Napięcie zasilania: 10...20V DC Prąd wyjściowy: -600...290mA Typ układu scalonego: driver Liczba kanałów: 2 Ro...
Diodes
DGD2104MS8-13
od PLN 3,07*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 100 A Uce 650 V 1 TO-247 Pojedynczy 268 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 268 W Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Ot...
onsemi
FGHL50T65SQ
od PLN 7,069*
za szt.
 
 szt.
IC: driver; półmostek IGBT,półmostek MOSFET; SO8; -500÷250mA (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Temperatura pracy: -40...125°C Obudowa: SO8 Napięcie zasilania: 10...20V DC Prąd wyjściowy: -500...250mA Typ układu scalonego: driver Czas narastania impulsu: 160ns Cz...
onsemi
NCP5109BDR2G
od PLN 2,46*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 25 A Uce 600 V TO-220 Pojedynczy kanał: N (3 ofert) 
Dyskretne IGBT STMicroelectronics
ST Microelectronics
STGP7NC60HD
od PLN 2,609*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 104 A Uce 650 V 1 TO-247GE 288 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 104 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGWSX2TS65GC13
od PLN 12,082*
za szt.
 
 szt.
IC: driver; półmostek IGBT,półmostek MOSFET; SO8; -500÷250mA (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Temperatura pracy: -40...125°C Obudowa: SO8 Napięcie zasilania: 10...20V DC Prąd wyjściowy: -500...250mA Typ układu scalonego: driver Czas narastania impulsu: 160ns Cz...
onsemi
NCP5109ADR2G
od PLN 2,45*
za szt.
 
 szt.
STMicroelectronics STGP8NC60KD IGBT 1 szt. (3 ofert) 
STM IGBT z FRED STGF_, STGP_ TO220_ Dane techniczne: Czas opóźnienia t(d)(on): 17 ns · Napięcie kolektora-emitera U(CES): 600 V · Opakowanie: tuba · Opóźnienie wyłączenia t(d)(off)(2): 72 ns · Prąd...
ST Microelectronics
STGP8NC60KD
od PLN 2,64*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 104 A Uce 650 V 1 TO-247GE 288 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 104 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGWSX2TS65GC13
od PLN 12,299*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 94A (1 Oferta) 
Producent: POWERSEM Obudowa: ECO-PAC 2 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 94A Prąd kolektora w impulsie: 150A Z...
Powersem
PSSI 100/12
od PLN 150,60*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor IGBT, 900V, 20A, TO-220 (2 ofert) 
Tranzystor IGBT, Typ=IXYP8N90C3, Ciągły prąd kolektora (Ic)=20 A, Napięcie bramka-emiter (Vge)=20 V, Napięcie kolektor-emiter (Vceo)=900 V, Napięcie nasycenia emitera kolektora maks. (Vce(sat))=3 V...
IXYS
IXYP8N90C3
od PLN 8,17*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 104 A Uce 650 V 1 TO-247GE 288 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 104 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGWSX2TS65DGC13
od PLN 18,275*
za szt.
 
 szt.
IC: driver; sterownik bramkowy IGBT; DIP8; -2÷1A; 2÷13,9V; Ch: 1 (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Temperatura pracy: -40...105°C Obudowa: DIP8 Napięcie zasilania: 11...20V DC Napięcie wyjściowe: 2...13,9V Prąd wyjściowy: -2...1A Typ układu scalonego: driver Czas na...
onsemi
MC33153PG
od PLN 4,418*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   51   52   53   54   55   56   57   58   59   60   61   ..   265   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.