Kategorie
Konto
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > IGBT

  IGBT  (3 954 ofert spośród 4 920 344 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „IGBT“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"IGBT"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
IGBT Ic 15 A Uce 1200 V AG-EASY1B-711 (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 15 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Typ opakowania = AG-EASY1B-711
Infineon
FP15R12W1T7BOMA1
od PLN 145,989*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tyrystor/IGBT; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: MiniSKiiP® 2 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tyrystor/IGBT Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 82A Prąd kolektora w im...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 28AHB16V1 25230170
od PLN 535,24*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 150 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW
Infineon
FS150R12N2T7B54BPSA1
od PLN 7 407,59505*
za 15 szt.
 
 opakowanie
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 22A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: MiniSKiiP® 1 Moc: 5,5kW Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 22A Prąd kolekt...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 12NAB126V1 25230020
od PLN 143,31*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 150 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW
Infineon
FS150R12N3T7BPSA1
od PLN 5 592,63*
za 10 szt.
 
 opakowanie
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS3 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 186A Prąd kolektora w impuls...
SEMIKRON DANFOSS
SKM200GBD126D 22891102
od PLN 593,59*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 150 A Uce 1200 V Max247 750 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 750 W Typ opakowania = Max247 Typ montażu = O...
ST Microelectronics
STGYA75H120DF2
od PLN 32,038*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV; SMT (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: IXYS Obudowa: SMPD-B...
IXYS
IXA20PG1200DHGLB
od PLN 34,15*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 15 A Uce 600 V SDIP2B Szereg 0.07 mW (1 Oferta) 
Wytrzymałe tranzystory IGBT firmy STMicroelectronics do zwarć łączą w sobie nowe funkcje kontroli ICS firmy ST z odporną na zwarcia bramką do rowów z ogranicznikiem polowym IGBT, co czyni je przyda...
ST Microelectronics
STGIB10CH60TS-LZ
od PLN 44,32*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 281 A Uce 1200 V 1 SOT-227 kanał: N 1,09 kW (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 281 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Maksymalna strata mocy = 1,09 kW Typ opakowania = SOT-227 Typ montażu...
Vishay
VS-GT180DA120U
od PLN 147,243*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 150 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Konfiguracja = Mostek 3 fazowy Typ mont...
Infineon
FP150R12KT4BPSA1
od PLN 7 462,02*
za 10 szt.
 
 opakowanie
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 25A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: E2-Pack Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 25A Prąd kolektora w impulsie: 35A Zastosow...
IXYS
MUBW15-12A7
od PLN 303,20*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 150 A Uce 1200 V 6 Moduł Sześciopak kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = Moduł Typ montażu = Mo...
Infineon
FS150R12N2T7BPSA1
od PLN 5 282,43*
za 10 szt.
 
 opakowanie
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 29A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 29A Prąd kolektora w ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT35GP120J
od PLN 156,61*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 150 A Uce 1200 V TO247-3LD kanał: N 714 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 714 W Typ opakowania = TO247-3LD Typ montażu ...
onsemi
FGY75T120SWD
od PLN 34,058*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   51   52   53   54   55   56   57   58   59   60   61   ..   264   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.