Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

IGBT Ic 150 A Uce 1200 V Max247 750 W


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2348894
Producent:
     ST Microelectronics
Nr producenta:
     STGYA75H120DF2
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Tranzystor
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V
Maksymalna strata mocy = 750 W
Typ opakowania = Max247
Typ montażu = Otwór przezierny
Liczba styków = 3
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
150 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
±20V
Maksymalna strata mocy:
750 W
Typ opakowania:
Max247
Typ montażu:
Otwór przezierny
Liczba styków:
3
Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, tranzystory bipolarne z izolowaną bramką, 2348894, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, STMicroelectronics, STGYA75H120DF2
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 31,848*
  
Cena obowiązuje od 3 000 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 54,575*
PLN 67,127
za szt.
od 2 szt.
PLN 54,065*
PLN 66,50
za szt.
od 5 szt.
PLN 49,134*
PLN 60,435
za szt.
od 10 szt.
PLN 42,688*
PLN 52,506
za szt.
od 20 szt.
PLN 42,128*
PLN 51,817
za szt.
od 25 szt.
PLN 37,953*
PLN 46,682
za szt.
od 50 szt.
PLN 36,038*
PLN 44,327
za szt.
od 3000 szt.
PLN 31,848*
PLN 39,173
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.