Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > IGBT

  IGBT  (3 957 ofert spośród 4 920 367 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „IGBT“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"IGBT"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
IGBT Ic 15 A Uce 1200 V 1 DO-247-3 Pojedynczy kanał: N 176 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 15 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 176 W Typ opakowania = DO-247-3 Typ montażu = ...
Infineon
IKW15N120CS7XKSA1
od PLN 15,014*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 600V; Ic: 75A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS2 Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 75A Prąd kolektora w impulsi...
SEMIKRON DANFOSS
SKM75GAL063D
od PLN 132,81*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 150 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW
Infineon
FS150R12N2T7B15BPSA1
od PLN 468,804*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 300A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS3 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 300A Prąd kolektora w impuls...
SEMIKRON DANFOSS
SKM400GAR125D 21915960
od PLN 1 024,14*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 150 A Uce 1200 V 1 PG-TO247 Pojedynczy kanał: N 880 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 25V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = PG-TO247 Typ kanału = N Liczba...
Infineon
IKQ75N120CS6XKSA1
od PLN 28,648*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; mostek 1-fazowy diodowy; Ic: 11A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: MiniSKiiP® 0 Moc: 1,5kW Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 11A Prąd kolekt...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 01NEC066V3 25232420
od PLN 176,34*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 150 A PG-TO247-3-46 938 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 938 W Typ opakowania = PG-TO247-3-46
Infineon
IKQ75N120CH3XKSA1
od PLN 47,43*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; buck chopper; Urmax: 650V; Ic: 100A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 650V Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 100A Prąd kolektora w impul...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT100GLQ65JU3
od PLN 105,44*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 15 A Uce 1200 V AG-EASY1B-711 (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 15 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Typ opakowania = AG-EASY1B-711
Infineon
FP15R12W1T7BOMA1
od PLN 145,919*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 175A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: V2-Pack Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 175A Prąd kolektora w impulsie: 450A Zastos...
IXYS
VUB160-16NOXT
od PLN 340,59*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 150 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW
Infineon
FS150R12N3T7BPSA1
od PLN 510,191*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; buck chopper; Urmax: 1,7kV; Ic: 248A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS3 Napięcie wsteczne maks.: 1,7kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 248A Prąd kolektora w impuls...
SEMIKRON DANFOSS
SKM200GAR17E4 22895140
od PLN 530,33*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 150 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW
Infineon
FP150R12N3T7PB11BPSA1
od PLN 787,38*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; mostek 3-fazowy diodowy; Ic: 6A (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Obudowa: AG-EASY1B-1 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 6A Prąd kolektora w im...
Infineon
FP06R12W1T4B3BOMA1
od PLN 131,64*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 150 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW
Infineon
FP150R12N3T7B11BPSA1
od PLN 684,799*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   51   52   53   54   55   56   57   58   59   60   61   ..   264   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.