Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > IGBT

  IGBT  (3 948 ofert spośród 5 025 533 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „IGBT“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"IGBT"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
IGBT Ic 146 A Uce 600 V 1 SOT-227 kanał: N 446 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 146 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Maksymalna strata mocy = 446 W Typ opakowania = SOT-227 Typ montażu = ...
Vishay
VS-GT90DA60U
od PLN 125,241*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 140A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: E2-Pack Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 140A Prąd kolektora w impulsie: 300A Zastos...
IXYS
VUB145-16NOXT
od PLN 377,19*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 141 A Uce 1200 V Super-TO-220 543 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 141 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 543 W Typ opakowania = Super-TO-220
Infineon
AUIRGDC0250
od PLN 937,62*
za 50 szt.
 
 opakowanie
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 94A (1 Oferta) 
Producent: POWERSEM Obudowa: ECO-PAC 2 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 94A Prąd kolektora w impulsie: 150A Z...
Powersem
PSSI 100/12
od PLN 150,66*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor IGBT IXYS IXGN200N60B3, SOT- 227B, N -channel, 600 V (2 ofert) 
Tranzysor IGBT IXYS IXGN200N60B3 | Dane techniczne: Czas opóźnienia t(d)(on): 44 ns · I (CM): 1200 A · Kod producenta: IXY · Konfiguracja: Pojedynczy · Moc (maks) P(TOT): 830 W · Napięcie kolektora...
IXYS
IXGN200N60B3
od PLN 197,24*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 120 A Uce 750 V 3 TO247PLUS 170 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 120 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 750 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 15V Maksymalna strata mocy = 170 W Typ opakowania = TO247PLUS
Infineon
AIKQ120N75CP2XKSA1
od PLN 26,014*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,7kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS2 Napięcie wsteczne maks.: 1,7kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 100A Prąd kolektora w impuls...
SEMIKRON DANFOSS
SKM100GAL17E4 22895100
od PLN 212,77*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor IGBT Semikron Semikron 22890695 SPT moduł IGBT Rodzaj obudowy SEMITRA (1 Oferta) 
Tranzystor IGBT Semikron Semikron 22890695 | Dane techniczne: Czas opóźnienia t(d)(on): 250 ns · I (CM): 200 A · Kod producenta: SKR · Konfiguracja: Pojedynczy · Napięcie kolektora-emitera U(CES): ...
Semikron
22890695
od PLN 667,93*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 15 A Uce 1200 V 1 DO-247-3 Pojedynczy kanał: N 176 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 15 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = DO-247-3 Typ montażu = Otwór p...
Infineon
IKW15N120CS7XKSA1
od PLN 15,541*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,6kV; Ic: 15A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: MiniSKiiP® 1 Moc: 5,5kW Napięcie wsteczne maks.: 1,6kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 15A Prąd kolekt...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 12NAB12T4V1 25231440
od PLN 139,05*
za szt.
 
 szt.
Układ scalony liniowy, IXYS IXDD609SI, SOIC- 8, MOS / sterownik bramki IGBT (2 ofert) 
Sterownik bramy PMIC IXYS IXDD609SI | Zintegrowane obwody elektryczne wiodących producentów. Jak zwykle należy zwrócić uwagę na naszą obszerną dokumentację, która jest udostępniona do bezpłatnego ś...
IXYS
IXDD609SI
od PLN 6,90*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 15 A Uce 1200 V 7 EasyPIM kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Moduł Infineon 15 A PIM IGBT charakteryzuje się większą gęstością mocy i ma niższe koszty systemu. Ma niskie napięcie stanu VCESAT i VF.Lepsza kontrola nad obrazem dv/dt Zoptymalizowane straty przy...
Infineon
FP15R12W1T7B11BOMA1
od PLN 152,179*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 150A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS2 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 150A Prąd kolektora w impuls...
SEMIKRON DANFOSS
SKM150GAR12T4 22892400
od PLN 228,09*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 145 A Uce 650 V 1 TO-247 Pojedynczy 441 W (2 ofert) 
Bramka STMicroelectronics Field-stop, 650 V, 100 A, szybka seria IGBT HB2 w pakiecie DO 247 długich odprowadzeń.Maksymalna temperatura połączenia: TJ = 175 °C. Niskie VCE (SAT) = 1.55 V (typowo) PR...
ST Microelectronics
STGWA100H65DFB2
od PLN 17,60*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 25A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: MiniSKiiP® 2 Moc: 7,5kW Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 25A Prąd kolekt...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 23NAB12T4V1 25231410
od PLN 567,25*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   51   52   53   54   55   56   57   58   59   60   61   ..   264   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.