Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > IGBT

  IGBT  (3 957 ofert spośród 4 920 363 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „IGBT“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"IGBT"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 600A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS4 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 600A Prąd kolektora w i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM800GA125D 03071 21915710
od PLN 2 307,67*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 150 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Konfiguracja = Mostek 3 fazowy Typ mont...
Infineon
FP150R12KT4BPSA1
od PLN 771,67*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; mostek 1-fazowy diodowy; Ic: 30A (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Obudowa: AG-EASY1B-1 Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 30A Prąd kolektora w i...
Infineon
FB30R06W1E3BOMA1
od PLN 111,96*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 160 A Uce 600 V PG-TO247-3-46 714 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 160 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 714 W Typ opakowania = PG-TO247-3-46 Liczba st...
Infineon
IKQ100N60TXKSA1
od PLN 37,948*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 400A; D59 (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS4 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 400A Prąd kolektora w i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM600GA125D 21915560
od PLN 1 265,68*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,7kV; Ic: 42A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 1,7kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 42A Prąd kolektora w impulsie: 100A Za...
IXYS
IXBN75N170A
od PLN 206,78*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 150 A Uce 1200 V TO247-3LD kanał: N 714 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 714 W Typ opakowania = TO247-3LD Typ montażu ...
onsemi
FGY75T120SWD
od PLN 18,966*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 600A; AG-62MM (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Obudowa: AG-62MM Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 600A Prąd kolektora w...
Infineon
FZ600R12KE3HOSA1
od PLN 694,33*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 150 A Uce 1200 V 7 Moduł 3-fazy kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 7 Typ opakowania = Moduł Typ montażu = Montaż w ...
Infineon
FP150R12N3T7BPSA1
od PLN 623,478*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 169 A Uce 1200 V 1 SOT-227 kanał: N 781 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 169 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = SOT-227 Typ montażu = Montaż...
Vishay
VS-GT90DA120U
od PLN 113,942*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 169 A Uce 1200 V 1 SOT-227 kanał: N 781 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 169 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = SOT-227 Typ montażu = Montaż...
Vishay
VS-GT90DA120U
od PLN 137,267*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,7kV; Ic: 775A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS4 Napięcie wsteczne maks.: 1,7kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 775A Prąd kolektora w i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM600GA17E4 22895080
od PLN 892,46*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 150 A Uce 650 V 1 TO-247 Pojedynczy kanał: P 455 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 455 W Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Ot...
onsemi
FGH75T65SHDTL4
od PLN 13,905*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 150 A Uce 1200 V PG-TO247-4-2 938 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 938 W Typ opakowania = PG-TO247-4-2
Infineon
IKY75N120CH3XKSA1
od PLN 36,03*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tyrystor/IGBT; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: MiniSKiiP® 2 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tyrystor/IGBT Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 82A Prąd kolektora w im...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 28AHB16V1 25230170
od PLN 531,64*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   51   52   53   54   55   56   57   58   59   60   61   ..   264   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.