Kategorie
Konto
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > IGBT

  IGBT  (3 948 ofert spośród 5 025 533 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „IGBT“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"IGBT"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 35A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: MiniSKiiP® 2 Moc: 11kW Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 35A Prąd kolekto...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 24NAB126V1 25230070
od PLN 624,66*
za szt.
 
 szt.
Littelfuse MMIX4B22N300 IGBT 1 szt. (1 Oferta) 
Dysk IGBT SMPD Pkg-BiMOSFET SMPD-B Dane techniczne: Dalsze dane techniczne: Rodzaj opakowania: SMPD VCES – napięcie kolektor-emiter (V): 3000 V Prąd kolektora przy 25℃ (A): 38A VCE(sat) – napięcie ...
Littelfuse
MMIX4B22N300
od PLN 390,06*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 12 A Uce 600 V 1 PG-TO252 Pojedynczy kanał: N 88 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 12 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 88 W Typ opakowania = PG-TO252 Typ kanału = N Li...
Infineon
IGD06N60TATMA1
od PLN 1,204*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS3 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 300A Prąd kolektora w impuls...
SEMIKRON DANFOSS
SKM400GAL125D 22890750
od PLN 990,14*
za szt.
 
 szt.
Littelfuse IXGH48N60B3D1 IGBT 1 szt. (1 Oferta) 
Płyta IGBT PT-średniej częstotliwości TO-247AD Dane techniczne: Dalsze dane techniczne: Rodzaj opakowania: TO-247 VCES – napięcie kolektor-emiter (V): 600 V VCE(sat) – napięcie nasycenia kolektor-e...
Littelfuse
IXGH48N60B3D1
od PLN 27,92*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 11,7 A Uce 600 V 1 PG-TO220-3 30 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 11,7 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 30 W Typ opakowania = PG-TO220-3 Typ montaż...
Infineon
IKA10N60TXKSA1
od PLN 3,198*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: MiniSKiiP® 3 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 124A Prąd kolektora w impu...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 39ANB16V1 25230180
od PLN 871,44*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 140 A Uce 600 V 1 PG-TO247-3 714 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 140 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 714 W Typ opakowania = PG-TO247-3 Typ montaż...
Infineon
IGW100N60H3FKSA1
od PLN 21,782*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 40A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: MiniSKiiP® 2 Moc: 11kW Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 40A Prąd kolekto...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 24NAB126V10 25230430
od PLN 683,25*
za szt.
 
 szt.
Littelfuse IXLF19N250A IGBT 1 szt. (1 Oferta) 
Płyta IGBT NPT-bardzo wysokie napięcie i4-Pac Dane techniczne: Dalsze dane techniczne: Rodzaj opakowania: i4-Pac (3HV) VCES – napięcie kolektor-emiter (V): 2500 V Prąd kolektora przy 25℃ (A): 32A V...
Littelfuse
IXLF19N250A
od PLN 159,95*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 141 A Uce 1200 V Super-TO-220 543 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 141 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 543 W Typ opakowania = Super-TO-220
Infineon
AUIRGDC0250
od PLN 21,80*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 43A (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: IXYS Obudowa: SMPD-B...
IXYS
IXA40RG1200DHGLB
od PLN 37,12*
za szt.
 
 szt.
STMicroelectronics STGB7NC60HDT4 IGBT 1 szt. (2 ofert) 
STM SMD IGBT z taśmą STGB_ D²Pak Dane techniczne: Czas opóźnienia t(d)(on): 18.5 ns · Napięcie kolektora-emitera U(CES): 600 V · Opakowanie: taśma na dużej rolce · Opóźnienie wyłączenia t(d)(off)(2...
ST Microelectronics
STGB7NC60HDT4
od PLN 5,75*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 120 A Uce 750 V 3 TO247PLUS 170 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 120 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 750 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 15V Liczba tranzystorów = 3 Typ opakowania = TO247PLUS
Infineon
AIKQ120N75CP2XKSA1
od PLN 26,194*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; 1,47kW (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Obudowa: AG-62MM-1 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 300A Prąd kolektora w im...
Infineon
FD300R12KE3HOSA1
od PLN 684,40*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   51   52   53   54   55   56   57   58   59   60   61   ..   264   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.