Kategorie
Konto
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > IGBT

  IGBT  (3 954 ofert spośród 4 920 344 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „IGBT“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"IGBT"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 22A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: MiniSKiiP® 2 Moc: 5,5kW Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 22A Prąd kolekt...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 22NAB126V10 25230390
od PLN 427,09*
za szt.
 
 szt.
STMicroelectronics STGB7NC60HDT4 IGBT 1 szt. (2 ofert) 
STM SMD IGBT z taśmą STGB_ D²Pak Dane techniczne: Czas opóźnienia t(d)(on): 18.5 ns · Napięcie kolektora-emitera U(CES): 600 V · Opakowanie: taśma na dużej rolce · Opóźnienie wyłączenia t(d)(off)(2...
ST Microelectronics
STGB7NC60HDT4
od PLN 5,73*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 120 A Uce 750 V 3 TO247PLUS 170 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 120 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 750 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 15V Liczba tranzystorów = 3 Typ opakowania = TO247PLUS
Infineon
AIKQ120N75CP2XKSA1
od PLN 45,585*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 43A (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: IXYS Obudowa: SMPD-B...
IXYS
IXA40RG1200DHGLB
od PLN 36,95*
za szt.
 
 szt.
Littelfuse IXLF19N250A IGBT 1 szt. (1 Oferta) 
Płyta IGBT NPT-bardzo wysokie napięcie i4-Pac Dane techniczne: Dalsze dane techniczne: Rodzaj opakowania: i4-Pac (3HV) VCES – napięcie kolektor-emiter (V): 2500 V Prąd kolektora przy 25℃ (A): 32A V...
Littelfuse
IXLF19N250A
od PLN 159,57*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 141 A Uce 1200 V Super-TO-220 543 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 141 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 543 W Typ opakowania = Super-TO-220
Infineon
AUIRGDC0250
od PLN 21,85*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; 1,47kW (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Obudowa: AG-62MM-1 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 300A Prąd kolektora w im...
Infineon
FD300R12KE3HOSA1
od PLN 676,24*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 115 A Uce 650 V 1 TO-247 357 W (2 ofert) 
Seria STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 stanowi ewolucję zastrzeżonej przez firmę Advanced struktury bramkowania rowów. Wydajność serii HB2 jest zoptymalizowana pod względem przewodzenia, dzięki le...
ST Microelectronics
STGW75H65DFB2-4
od PLN 19,711*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,7kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS3 Napięcie wsteczne maks.: 1,7kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 248A Prąd kolektora w impuls...
SEMIKRON DANFOSS
SKM200GAL17E4 22895110
od PLN 542,39*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Semikron SKM400GA12V SEMITRANS R 4, 1200 V, 612 A (1 Oferta) 
Moduł IGBT SEMITRANS® Semikron 22892103 | Dane techniczne: Czas opóźnienia t(d)(on): 350 ns · I (CM): 1200 A · Kod producenta: SKR · Konfiguracja: Pojedynczy · Napięcie kolektora-emitera U(CES): 12...
Semikron
22892103
od PLN 938,81*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 141 A Uce 1200 V TO-247AC 543 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 141 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 543 W Typ opakowania = TO-247AC
Infineon
AUIRG4PH50S
od PLN 33,514*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 35A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITOP2 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 35A Prąd kolektora w impulsie:...
SEMIKRON DANFOSS
SK 35 GAL 12T4 24915850
od PLN 73,92*
za szt.
 
 szt.
STMicroelectronics STGP8NC60KD IGBT 1 szt. (3 ofert) 
STM IGBT z FRED STGF_, STGP_ TO220_ Dane techniczne: Czas opóźnienia t(d)(on): 17 ns · Napięcie kolektora-emitera U(CES): 600 V · Opakowanie: tuba · Opóźnienie wyłączenia t(d)(off)(2): 72 ns · Prąd...
ST Microelectronics
STGP8NC60KD
od PLN 2,68*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 139 A Uce 1200 V 1 SOT-227 kanał: N 658 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 139 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Maksymalna strata mocy = 658 W Typ opakowania = SOT-227 Typ montażu =...
Vishay
VS-GT80DA120U
od PLN 131,332*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 50A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: MiniSKiiP® 3 Moc: 15kW Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolekto...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 35NAB126V10 25230130
od PLN 990,79*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   51   52   53   54   55   56   57   58   59   60   61   ..   264   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.