Kategorie
Konto
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > IGBT

  IGBT  (3 948 ofert spośród 5 025 533 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „IGBT“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"IGBT"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
IGBT Ic 115 A Uce 650 V 1 TO-247 Pojedynczy 357 W (1 Oferta) 
Bramka STMicroelectronics Field-stop, 650 V, 75 A, szybka seria IGBT HB2 w pakiecie DO 247 długich odprowadzeń.Maksymalna temperatura połączenia: TJ = 175 °C. Niskie VCE (SAT) = 1.55 V (typowo) PRZ...
ST Microelectronics
STGWA75H65DFB2
od PLN 18,71*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 22A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: MiniSKiiP® 2 Moc: 5,5kW Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 22A Prąd kolekt...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 22NAB126V10 25230390
od PLN 431,33*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 120 A Uce 650 V 1 TO-247 Pojedynczy kanał: N 714 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 120 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 714 W Typ opakowania = TO-247 Typ kanału = N L...
onsemi
AFGY120T65SPD
od PLN 23,932*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS3 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 324A Prąd kolektora w impuls...
SEMIKRON DANFOSS
SKM400GAL12E4 22892314
od PLN 616,38*
za szt.
 
 szt.
Infineon Technologies IR2183SPBF IGBT 1 szt. (3 ofert) 
Sterownik bramki MOSFET/IGBT wysokiego napięcia na podczerwień Dane techniczne: Dalsze dane techniczne: Napięcie zasilania, min: 10 V · Napięcie zasilania, maks.: 20 V · Ilość kanałów: 2 · Minimaln...
Infineon
IR2183SPBF
od PLN 6,171*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 115 A Uce 650 V 1 TO-247 357 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 115 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 357 W Typ opakowania = TO-247 Liczba styków = 4
ST Microelectronics
STGW75H65DFB2-4
od PLN 25,153*
za szt.
 
 szt.
IC: driver; sterownik bramkowy IGBT; SO8; -2÷1A; 2÷13,9V; Ch: 1 (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Temperatura pracy: -40...105°C Obudowa: SO8 Napięcie zasilania: 11...20V DC Napięcie wyjściowe: 2...13,9V Prąd wyjściowy: -2...1A Typ układu scalonego: driver Czas nar...
onsemi
MC33153DG
od PLN 6,01*
za szt.
 
 szt.
Infineon Technologies IR2104SPBF IGBT 1 szt. (3 ofert) 
Sterownik bramki MOSFET/IGBT wysokiego napięcia na podczerwień Dane techniczne: Dalsze dane techniczne: Napięcie zasilania, min: 10 V · Napięcie zasilania, maks.: 20 V · Ilość kanałów: 2 · Minimaln...
Infineon
IR2104SPBF
od PLN 5,24*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 104 A Uce 650 V 1 TO-247GE 288 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 104 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 288 W Typ opakowania = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGWSX2TS65DGC13
od PLN 9 532,764*
za 600 szt.
 
 opakowanie
IC: driver; półmostek IGBT; sterownik bramkowy; SO8; -600÷290mA (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Temperatura pracy: -40...125°C Obudowa: SO8 Napięcie zasilania: 10...20V Prąd wyjściowy: -600...290mA Typ układu scalonego: driver Liczba kanałów: 2 Rodza...
Diodes
DGD2104MS8-13
od PLN 3,07*
za szt.
 
 szt.
Littelfuse IXGN200N170 IGBT 1 szt. (1 Oferta) 
Dysk IGBT NPT HiVoltage SOT-227B (mini Dane techniczne: Dalsze dane techniczne: Rodzaj opakowania: SOT-227 VCES – napięcie kolektor-emiter (V): 1700 V Prąd kolektora przy 25℃ (A): 280A VCE(sat) – n...
Littelfuse
IXGN200N170
od PLN 194,19*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 120 A Uce 650 V 1 TO-247 Pojedynczy kanał: N 714 W (1 Oferta) 
SERIA ON Semiconductor AFGY to IGBT z miękką diodą szybkiego odzyskiwania, która zapewnia bardzo niskie przewodzenie i straty na przełączniku dla wysokiej wydajności pracy w różnych zastosowaniach,...
onsemi
AFGY120T65SPD
od PLN 29,343*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 35A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITOP2 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 35A Prąd kolektora w impulsie:...
SEMIKRON DANFOSS
SK 35 GAL 12T4 24915850
od PLN 74,59*
za szt.
 
 szt.
Infineon Technologies IR2184SPBF IGBT 1 szt. (2 ofert) 
Sterownik bramki MOSFET/IGBT wysokiego napięcia na podczerwień Dane techniczne: Dalsze dane techniczne: Napięcie zasilania, min: 10 V · Napięcie zasilania, maks.: 20 V · Ilość kanałów: 2 · Minimaln...
Infineon
IR2184SPBF
od PLN 7,90*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 140 A Uce 1200 V 1 TO-247 kanał: N 962 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 140 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Otwór pr...
Infineon
IKQ140N120CH7XKSA1
od PLN 47,028*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   51   52   53   54   55   56   57   58   59   60   61   ..   264   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.