![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
Fotografia | | | | Zamów |
![](/p.gif) |
|
|
Tranzystor: IGBT; 650V; 8A; 16W; TO220NFM (1 Oferta) Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO220NFM Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 8A Prąd kolektora w impulsie: 45A Czas załączania: 40ns Cza... |
ROHM Semiconductor RGT30TM65DGC9 |
od PLN 5,01* za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 650V; 4A; 86W; D2PAK (1 Oferta) Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 4A Prąd kolektora w impulsie: 16A Typ tranzystora: IGBT Moc ro... |
ST Microelectronics STGB4M65DF2 |
od PLN 2,26* za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 650V; 40A; 107W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 40A Prąd kolektora w impulsie: 160A Czas załączania: 59ns Cz... |
ROHM Semiconductor RGW80TS65DGC11 |
od PLN 14,23* za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 650V; 30A; 260W; TO220AB (1 Oferta) Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 30A Prąd kolektora w impulsie: 120A Typ tranzystora: IGBT Mo... |
ST Microelectronics STGP30H65F |
od PLN 5,75* za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 650V; 8A; 47W; TO252 (1 Oferta) Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TO252 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 8A Prąd kolektora w impulsie: 24A Czas załączania: 27ns Czas w... |
ROHM Semiconductor RGT16BM65DTL |
od PLN 3,99* za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 650V; 50A; 163W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 150A Czas załączania: 70ns Cz... |
ROHM Semiconductor RGS00TS65DHRC11 |
od PLN 18,02* za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 650V; 40A; 136W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 40A Prąd kolektora w impulsie: 120A Czas załączania: 62ns Cz... |
ROHM Semiconductor RGS80TS65DHRC11 |
od PLN 16,72* za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 650V; 30A; 92W; TO3PF (1 Oferta) Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO3PF Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 30A Prąd kolektora w impulsie: 120A Typ tranzystora: IGBT Moc ... |
ST Microelectronics STGFW30H65FB |
od PLN 6,90* za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 600V; 68A; 400W; SMPD (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 68A Prąd kolektora w impulsie: 440A Czas załączania: 92s Czas wyłączania: 350... |
|
od PLN 81,27* za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 650V; 50A; 300W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 150A Typ tranzystora: IGBT Mo... |
ST Microelectronics STGWA50IH65DF |
od PLN 11,64* za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 40A Prąd kolektora w impulsie: 160A Typ tranzystora: IGBT Mo... |
ST Microelectronics STGWA40H65FB |
od PLN 12,59* za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 21A; 105W; TO247 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 21A Prąd kolektora w impulsie: 40A Czas załączania: 20ns Czas wyłączania: 9... |
|
od PLN 40,49* za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 650V; 50A; 375W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 150A Typ tranzystora: IGBT Mo... |
ST Microelectronics STGWA50M65DF2 |
od PLN 13,52* za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-4 (1 Oferta) Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 40A Prąd kolektora w impulsie: 160A Typ tranzystora: IGBT Mo... |
ST Microelectronics STGW40H65DFB-4 |
od PLN 13,28* za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO3P (1 Oferta) Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO3P Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 40A Prąd kolektora w impulsie: 160A Typ tranzystora: IGBT Moc r... |
ST Microelectronics STGWT40H65DFB |
od PLN 12,79* za szt. |
|
|