Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

IGBT Ic 51 A Uce 650 V 1 TO-247GE 156 W


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2412306
Producent:
     ROHM Semiconductor
Nr producenta:
     RGWS60TS65GC13
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Tranzystor
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 51 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V
Maksymalna strata mocy = 156 W
Typ opakowania = TO-247GE
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
51 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
±30V
Maksymalna strata mocy:
156 W
Liczba tranzystorów:
1
Konfiguracja:
Pojedynczy kolektor, pojedynczy emiter, pojedyncza bramka
Typ opakowania:
TO-247GE
Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, 2412306, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, ROHM, RGWS60TS65GC13
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 8,781*
  
Cena obowiązuje od 300 000 szt.
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 600 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 600 szt.
PLN 9,141*
PLN 11,243
za szt.
od 1200 szt.
PLN 9,071*
PLN 11,157
za szt.
od 3000 szt.
PLN 8,891*
PLN 10,936
za szt.
od 6000 szt.
PLN 8,821*
PLN 10,85
za szt.
od 300000 szt.
PLN 8,781*
PLN 10,801
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.