Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > IGBT

  IGBT  (3 961 ofert spośród 4 917 272 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „IGBT“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"IGBT"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: IGBT; 1,8kV; 40A; 375W; TO3PN (1 Oferta) 
Producent: TOSHIBA Montaż: THT Obudowa: TO3PN Napięcie kolektor-emiter: 1,8kV Napięcie bramka - emiter: ±25V Prąd kolektora: 40A Prąd kolektora w impulsie: 80A Czas załączania: 950ns Czas wyłączani...
Toshiba
GT40WR21,Q(O
od PLN 32,91*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 40 A Uce 650 V 1 TO-247N Wspólny nadajnik kanał: N 214 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 40 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 214 W Typ opakowania = TO-247N Typ montażu = Ot...
ROHM Semiconductor
RGW80TS65HRC11
od PLN 8 218,3725*
za 450 szt.
 
 opakowanie
IGBT Ic 40 A Uce 650 V 1 TO-247GE 144 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 40 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 144 W Typ opakowania = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGTH40TS65DGC13
od PLN 13,284*
za szt.
 
 szt.
IGBT PG-TO220-3 35,7 W (2 ofert) 
Maksymalna strata mocy = 35,7 W Typ opakowania = PG-TO220-3
Infineon
IKA15N60TXKSA1
od PLN 4,58306*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 40 A Uce 650 V 1 TO-247 Wspólny nadajnik kanał: N 230 W (1 Oferta) 
Układ IGBT STMicroelectronics o dużej prędkości stanowi ewolucję Advanced, opatentowanej konstrukcji bramki do rowów, która jest w pełni zabudowana. Wydajność serii HB2 jest zoptymalizowana pod wzg...
ST Microelectronics
STGWA40H65DFB2
od PLN 11,03*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 400 A Uce 1200 V 2 kW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 400 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 2 kW Typ montażu = Montaż na panelu Liczba st...
Infineon
FD400R12KE3HOSA1
od PLN 665,399*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; 1200V; 25A; 347W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 25A Prąd kolektora w impulsie: 75A Czas załączania: 41ns...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT25GT120BRG
od PLN 24,10*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 40 Uce 650 V 1 TO-247GE 1.44 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 40 Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGT40TS65DGC13
od PLN 11,786*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 40 A Uce 650 V 1 TO-247N Wspólny nadajnik kanał: N 214 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 40 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 214 W Typ opakowania = TO-247N Typ montażu = Ot...
ROHM Semiconductor
RGW80TS65CHRC11
od PLN 38,089*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 40 A Uce 650 V 1 TO-247-3-HCC Pojedynczy kanał: N 78 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 40 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 78 W Typ opakowania = TO-247-3-HCC Typ montażu ...
Infineon
IKWH40N65WR6XKSA1
od PLN 8,203*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; 600V; 10A; 82W; TO220; Ewył: 0,07mJ; Ezał: 0,26mJ (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO220 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Napięcie nasycenia kol.-emit.: 1,53V Prąd kolektora: 10A Prąd kolekto...
Alpha & Omega Semiconductor
AOT10B60D
od PLN 4,23*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 41 A Uce 600 V 1 PG-TO263-3 166 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 41 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 166 W Typ opakowania = PG-TO263-3 Typ montażu...
Infineon
IKB20N60TATMA1
od PLN 6,03*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; 1200V; 85A; 962W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 85A Prąd kolektora w impulsie: 340A Czas załączania: 113...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT85GR120B2
od PLN 81,98*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 41 A Uce 300 V DPAK (TO-252) Pojedynczy kanał: N 150 W (1 Oferta) 
AEC-Q101. Podane wartości znamionowe dotyczą temperatury połączenia Tc = +110°C. Zapłon motoryzacyjny IGBT, firma Fairchild Semiconductor. Te urządzenia EcoSPARK IGBT zostały zoptymalizowane pod ką...
onsemi
FGD3040G2_F085
od PLN 9 739,60*
za 2 500 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: IGBT; 1,35kV; 30A; 170W; TO247; 1,47mJ (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie kolektor-emiter: 1,35kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Napięcie nasycenia kol.-emit.: 1,8V Prąd kolektora: 30A Prąd kolekt...
Alpha & Omega Semiconductor
AOK30B135W1
od PLN 10,11*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   81   82   83   84   85   86   87   88   89   90   91   ..   265   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.