![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
Fotografia | | | | Zamów |
![](/p.gif) |
|
|
Tranzystor: IGBT; 1,8kV; 40A; 375W; TO3PN (1 Oferta) Producent: TOSHIBA Montaż: THT Obudowa: TO3PN Napięcie kolektor-emiter: 1,8kV Napięcie bramka - emiter: ±25V Prąd kolektora: 40A Prąd kolektora w impulsie: 80A Czas załączania: 950ns Czas wyłączani... |
|
od PLN 32,91* za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGW80TS65HRC11 |
od PLN 8 218,3725* za 450 szt. |
|
|
IGBT Ic 40 A Uce 650 V 1 TO-247GE 144 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 40 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 144 W Typ opakowania = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGTH40TS65DGC13 |
od PLN 13,284* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 4,58306* za szt. |
|
|
|
ST Microelectronics STGWA40H65DFB2 |
od PLN 11,03* za szt. |
|
|
IGBT Ic 400 A Uce 1200 V 2 kW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 400 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 2 kW Typ montażu = Montaż na panelu Liczba st... |
|
od PLN 665,399* za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 1200V; 25A; 347W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 25A Prąd kolektora w impulsie: 75A Czas załączania: 41ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT25GT120BRG |
od PLN 24,10* za szt. |
|
|
IGBT Ic 40 Uce 650 V 1 TO-247GE 1.44 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 40 Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGT40TS65DGC13 |
od PLN 11,786* za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGW80TS65CHRC11 |
od PLN 38,089* za szt. |
|
|
|
Infineon IKWH40N65WR6XKSA1 |
od PLN 8,203* za szt. |
|
|
|
Alpha & Omega Semiconductor AOT10B60D |
od PLN 4,23* za szt. |
|
|
IGBT Ic 41 A Uce 600 V 1 PG-TO263-3 166 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 41 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 166 W Typ opakowania = PG-TO263-3 Typ montażu... |
|
od PLN 6,03* za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 1200V; 85A; 962W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 85A Prąd kolektora w impulsie: 340A Czas załączania: 113... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT85GR120B2 |
od PLN 81,98* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 9 739,60* za 2 500 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 1,35kV; 30A; 170W; TO247; 1,47mJ (1 Oferta) Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie kolektor-emiter: 1,35kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Napięcie nasycenia kol.-emit.: 1,8V Prąd kolektora: 30A Prąd kolekt... |
Alpha & Omega Semiconductor AOK30B135W1 |
od PLN 10,11* za szt. |
|
|