Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > IGBT

  IGBT  (3 961 ofert spośród 4 917 272 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „IGBT“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"IGBT"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: IGBT; 600V; 11A; 45W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: TOSHIBA Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±25V Prąd kolektora: 11A Prąd kolektora w impulsie: 80A Czas załączania: 0,2µs Czas wyłączan...
Toshiba
GT20J341,S4X(S
od PLN 5,00*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 48 A Uce 600 V 1 TO-247GE 111 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 48 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGCL60TS60GC13
od PLN 9,681*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; 600V; 10A; 62W; DPAK (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 10A Prąd kolektora w impulsie: 30A Typ tranzystora: IGBT Moc ro...
ST Microelectronics
STGD10NC60KDT4
od PLN 3,62*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 48 A Uce 600 V 1 TO-247GE 111 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 48 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 111 W Typ opakowania = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGCL60TS60DGC13
od PLN 11,246*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 450 A Uce 1700 V 2,5 kW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 450 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1700 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 2,5 kW Konfiguracja = Podwójna Typ montażu = ...
Infineon
FF450R17ME4BOSA1
od PLN 834,168*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; 600V; 20A; 167W; TO220AB (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 20A Prąd kolektora w impulsie: 80A Typ tranzystora: IGBT Moc...
ST Microelectronics
STGP20V60DF
od PLN 6,33*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 48 Uce 650 V 1 TO-247GE 1.74 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 48 Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 1.74 mW Konfiguracja = Pojedyncza
ROHM Semiconductor
RGT50TS65DGC13
od PLN 7,435*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; 600V; 12A; 40W; TO220-3 (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 12A Prąd kolektora w impulsie: 92A Typ tranzystora: IGBT Moc rozpraszana...
onsemi
SGP23N60UFDTU
od PLN 4,26*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 5 A Uce 1200 V 6 DIP kanał: N (1 Oferta) 
ON Semiconductor NFAM0512L5BT to w pełni zintegrowany moduł zasilania inwertera składający się z niezależnego sterownika bramki po stronie wysokiej, LVIC, sześciu IGBT i czujnika temperatury (termi...
onsemi
NFAM0512L5BT
od PLN 8 745,0507*
za 90 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: IGBT; 600V; 10A; 65W; TO220AB (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 10A Prąd kolektora w impulsie: 30A Typ tranzystora: IGBT Moc...
ST Microelectronics
STGP10NC60HD
od PLN 4,02*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 48 Uce 650 V 1 TO-247GE 1.74 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 48 Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 1.74 mW Konfiguracja = Pojedyncza
ROHM Semiconductor
RGT50TS65DGC13
od PLN 12,528*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; 600V; 17A; 45W; TO220AB (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie kolektor-emiter: 600V Prąd kolektora: 17A Typ tranzystora: IGBT Moc rozpraszana: 45W Rodzaj opakowania: tuba
Infineon
IRG4IBC30WPBF
od PLN 7,27*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 48 A Uce 600 V 1 TO-247GE 111 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 48 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGCL60TS60DGC13
od PLN 6 611,46*
za 600 szt.
 
 opakowanie
IGBT Ic 5 A Uce 600 V 1 TO-252 82 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 5 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 82 W Typ opakowania = TO-252
Bourns
BIDD05N60T
od PLN 3,283*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; 600V; 13A; 90W; D2PAK (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie kolektor-emiter: 600V Prąd kolektora: 13A Typ tranzystora: IGBT Moc rozpraszana: 90W Rodzaj opakowania: rolka Właściwości elemen...
Infineon
IRGS6B60KDTRLP
od PLN 4 047,824*
za 800 szt.
 
 opakowanie
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   81   82   83   84   85   86   87   88   89   90   91   ..   265   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.