![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
Fotografia | | | | Zamów |
![](/p.gif) |
|
|
Tranzystor: IGBT; 600V; 11A; 45W; TO220FP (1 Oferta) Producent: TOSHIBA Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±25V Prąd kolektora: 11A Prąd kolektora w impulsie: 80A Czas załączania: 0,2µs Czas wyłączan... |
|
od PLN 5,00* za szt. |
|
|
IGBT Ic 48 A Uce 600 V 1 TO-247GE 111 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 48 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGCL60TS60GC13 |
od PLN 9,681* za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 600V; 10A; 62W; DPAK (1 Oferta) Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 10A Prąd kolektora w impulsie: 30A Typ tranzystora: IGBT Moc ro... |
ST Microelectronics STGD10NC60KDT4 |
od PLN 3,62* za szt. |
|
|
IGBT Ic 48 A Uce 600 V 1 TO-247GE 111 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 48 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 111 W Typ opakowania = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGCL60TS60DGC13 |
od PLN 11,246* za szt. |
|
|
IGBT Ic 450 A Uce 1700 V 2,5 kW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 450 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1700 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 2,5 kW Konfiguracja = Podwójna Typ montażu = ... |
|
od PLN 834,168* za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 600V; 20A; 167W; TO220AB (1 Oferta) Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 20A Prąd kolektora w impulsie: 80A Typ tranzystora: IGBT Moc... |
ST Microelectronics STGP20V60DF |
od PLN 6,33* za szt. |
|
|
IGBT Ic 48 Uce 650 V 1 TO-247GE 1.74 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 48 Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 1.74 mW Konfiguracja = Pojedyncza |
ROHM Semiconductor RGT50TS65DGC13 |
od PLN 7,435* za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 600V; 12A; 40W; TO220-3 (1 Oferta) Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 12A Prąd kolektora w impulsie: 92A Typ tranzystora: IGBT Moc rozpraszana... |
|
od PLN 4,26* za szt. |
|
|
IGBT Ic 5 A Uce 1200 V 6 DIP kanał: N (1 Oferta) ON Semiconductor NFAM0512L5BT to w pełni zintegrowany moduł zasilania inwertera składający się z niezależnego sterownika bramki po stronie wysokiej, LVIC, sześciu IGBT i czujnika temperatury (termi... |
|
od PLN 8 745,0507* za 90 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 600V; 10A; 65W; TO220AB (1 Oferta) Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 10A Prąd kolektora w impulsie: 30A Typ tranzystora: IGBT Moc... |
ST Microelectronics STGP10NC60HD |
od PLN 4,02* za szt. |
|
|
IGBT Ic 48 Uce 650 V 1 TO-247GE 1.74 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 48 Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 1.74 mW Konfiguracja = Pojedyncza |
ROHM Semiconductor RGT50TS65DGC13 |
od PLN 12,528* za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 600V; 17A; 45W; TO220AB (1 Oferta) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie kolektor-emiter: 600V Prąd kolektora: 17A Typ tranzystora: IGBT Moc rozpraszana: 45W Rodzaj opakowania: tuba |
|
od PLN 7,27* za szt. |
|
|
IGBT Ic 48 A Uce 600 V 1 TO-247GE 111 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 48 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGCL60TS60DGC13 |
od PLN 6 611,46* za 600 szt. |
|
|
IGBT Ic 5 A Uce 600 V 1 TO-252 82 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 5 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 82 W Typ opakowania = TO-252 |
|
od PLN 3,283* za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 600V; 13A; 90W; D2PAK (1 Oferta) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie kolektor-emiter: 600V Prąd kolektora: 13A Typ tranzystora: IGBT Moc rozpraszana: 90W Rodzaj opakowania: rolka Właściwości elemen... |
|
od PLN 4 047,824* za 800 szt. |
|
|