 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
Tranzystor: IGBT; 1,2kV; 25A; 375W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 25A Prąd kolektora w impulsie: 100A Typ tranzystora: IGBT M... |
ST Microelectronics STGWA25M120DF3 |
od PLN 13,86*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 40 A Uce 650 V 1 TO-220 147 W (1 Oferta) Seria STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 stanowi ewolucję zastrzeżonej przez firmę Advanced struktury bramkowania rowów. Wydajność serii HB2 jest zoptymalizowana pod względem przewodzenia, dzięki le... |
ST Microelectronics STGP20H65DFB2 |
od PLN 6,252*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 120A Prąd kolektora w impulsie: 480A Czas załączania: 76n... |
|
od PLN 37,66*
za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGW80TS65DHRC11 |
od PLN 18,03*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 600V; 14A; 80W; TO220AB (1 Oferta) Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 14A Prąd kolektora w impulsie: 50A Typ tranzystora: IGBT Moc... |
ST Microelectronics STGP14NC60KD |
od PLN 4,26*
za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGW80TS65CHRC11 |
od PLN 45,252*
za szt. |
|
|
|
ST Microelectronics STGWA40IH65DF |
od PLN 7,232*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 1,2kV; 25A; 70W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 25A Prąd kolektora w impulsie: 60A Czas załączania: 45ns... |
|
od PLN 18,54*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 40 A Uce 650 V 1 TO-247 Pojedynczy 147 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 40 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 147 W Typ opakowania = TO-247 Liczba styków = 3... |
ST Microelectronics STGWA20H65DFB2 |
od PLN 10,095*
za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGW80TS65HRC11 |
od PLN 8 225,4825*
za 450 szt. |
|
|
|
Alpha & Omega Semiconductor AOT15B60D |
od PLN 5,50*
za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGW80TS65EHRC11 |
od PLN 22,872*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 1,8kV; 40A; 375W; TO3PN (1 Oferta) Producent: TOSHIBA Montaż: THT Obudowa: TO3PN Napięcie kolektor-emiter: 1,8kV Napięcie bramka - emiter: ±25V Prąd kolektora: 40A Prąd kolektora w impulsie: 80A Czas załączania: 950ns Czas wyłączani... |
|
od PLN 32,90*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 40 A Uce 650 V 1 TO-247GE 144 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 40 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 144 W Typ opakowania = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGTH40TS65DGC13 |
od PLN 13,244*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 1,2kV; 30A; 235W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 30A Prąd kolektora w impulsie: 60A Czas załączania: 57ns... |
|
od PLN 11,98*
za szt. |
|
|
