 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
IGBT Ic 5 A Uce 600 V 400 DIP38 (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 5 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Liczba tranzystorów = 400 Typ opakowania = DIP38 |
|
od PLN 26,959*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 600V; 135A; 625W; TO264 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 135A Prąd kolektora w impulsie: 300A Czas załączania: 96ns ... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT100GN60LDQ4G |
od PLN 79,34*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 5 A Uce 600 V 1 TO-252 82 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 5 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 82 W Typ opakowania = TO-252 |
|
od PLN 2,332*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 48 A Uce 600 V TO-247AD kanał: N 250 W (1 Oferta) Tranzystor bibiegunowy z izolowaną bramką Infineon z ultraszybką diodą do odzyskiwania energii.Wysoka sprawność Niskie straty przy przełączaniem Zwiększona niezawodność Niskie zakłócenia elektromag... |
|
od PLN 19,457*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 5,7 A Uce 600 V 1 PG-SOT223-3 6,3 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 5,7 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 6,3 W Typ opakowania = PG-SOT223-3 |
|
od PLN 1,91*
za szt. |
|
|
|
Infineon IKW50N120CS7XKSA1 |
od PLN 719,2002*
za 30 szt. |
|
|
|
Alpha & Omega Semiconductor AOTF15B60D2 |
od PLN 3,17*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 5,7 A Uce 600 V 1 PG-SOT223-3 6,3 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 5,7 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 6,3 W Typ opakowania = PG-SOT223-3 |
|
od PLN 3 032,91*
za 3 000 szt. |
|
|
IGBT Ic 5 A Uce 1200 V 6 DIP kanał: N (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 5 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 16.5V Liczba tranzystorów = 6 Typ opakowania = DIP Typ kanału = N Liczba styk... |
|
od PLN 93,439*
za szt. |
|
|
|
ST Microelectronics STGYA50H120DF2ST |
od PLN 23,145*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V 1 TO-247 kanał: N 398 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20 V, ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Ot... |
Infineon IKW50N120CH7XKSA1 |
od PLN 22,867*
za szt. |
|
|
|
ST Microelectronics STGYA50H120DF2ST |
od PLN 686,4201*
za 30 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 600V; 20A; 170W; D2PAK (1 Oferta) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 20A Typ tranzystora: IGBT Moc rozpraszana: 170W Rodzaj opak... |
|
od PLN 6,09*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 5 A Uce 600 V 400 DIP38 (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 5 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Liczba tranzystorów = 400 Typ opakowania = DIP38 |
|
od PLN 30,207*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 600V; 30A; 170W; TO3PN (1 Oferta) Producent: TOSHIBA Montaż: THT Obudowa: TO3PN Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 30A Prąd kolektora w impulsie: 60A Czas załączania: 240ns Czas wyłączania... |
|
od PLN 8,94*
za szt. |
|
|
