 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
Tranzystor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK (1 Oferta) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 23A Prąd kolektora w impulsie: 45A Czas załączania: 28ns Cz... |
|
od PLN 7,57*
za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGW00TS65EHRC11 |
od PLN 23,022*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3 (1 Oferta) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 60A Prąd kolektora w impulsie: 180A Czas załączania: 64ns... |
|
od PLN 20,66*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 50 A Uce 650 V 1 TO-220FP 50 W (1 Oferta) Seria STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 stanowi ewolucję zastrzeżonej przez firmę Advanced struktury bramkowania rowów. Wydajność serii HB2 jest zoptymalizowana pod względem przewodzenia, dzięki le... |
ST Microelectronics STGF30H65DFB2 |
od PLN 10,141*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 600V; 4A; 75W; DPAK (1 Oferta) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 4A Prąd kolektora w impulsie: 12A Typ tranzystora: IGBT Moc ... |
|
od PLN 2,81*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 51 A Uce 650 V 1 TO-247GE 156 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 51 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 156 W Typ opakowania = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGWS60TS65GC13 |
od PLN 8,781*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 90 A Uce 600 V PG-TO263-3 333 W (2 ofert) Niskostratnego tranzystora bipobiegunowego z izolowaną bramką Infineon w technologii trenchstop i Fieldstop.Wysoka sprawność Niskie straty przy przełączaniem Zwiększona niezawodność Niskie zakłócen... |
|
od PLN 9,818*
za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGW00TS65DHRC11 |
od PLN 26,083*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 60 A Uce 600 V 1 PG-TO220-3 187 W (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 60 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 187 W Typ opakowania = PG-TO220-3 Typ montażu... |
|
od PLN 6,904*
za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGWX5TS65DHRC11 |
od PLN 11 406,843*
za 450 szt. |
|
|
IGBT Ic 50 A Uce 650 V 1 TO-247 416 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 416 W Typ opakowania = TO-247 |
|
od PLN 14,75*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 53 A Uce 600 V PG-TO247-3-AI Izolacja 141 W (2 ofert) Tranzystor bibiegunowy z izolowaną bramką Infineon jest wyposażony w szybką i miękką diodę antyrównoległą Rapid 1 w całkowicie izolowanym opakowaniu.Wysoka sprawność Niskie straty przy przełączanie... |
Infineon IKFW60N60DH3EXKSA1 |
od PLN 15,89*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 80 A Uce 600 V PG-TO263-3 250 W (2 ofert) Technologia Infineon Fieldstop tranzystor bibiegunowy z izolowaną bramką i miękką diodą z szybkim odzyskiwaniem antyemiterem równoległym.Wysoka sprawność Niskie straty przy przełączaniem Zwiększona... |
|
od PLN 19,28*
za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGW00TS65HRC11 |
od PLN 18,70*
za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGWX5TS65HRC11 |
od PLN 27,342*
za szt. |
|
|
