 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
IGBT Ic 80 A Uce 1200 V PG-TO247-3-46 500 W (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 500 W Typ opakowania = PG-TO247-3-46 |
Infineon IKQ40N120CH3XKSA1 |
od PLN 26,948*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 40 A Uce 600 V 1 PG-TO-220-3 170 W (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 40 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 170 W Typ opakowania = PG-TO-220-3 Typ montaż... |
|
od PLN 5,124*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 16,497*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 40 A Uce 1200 V 1 TO-247 kanał: N 500 W (1 Oferta) Infineon High speed hard-switching TRENCHSTOP IGBT6 zapakowany w miękką i szybką diodę antyrównoległą do pełnego powrotu prądu w OBUDOWIE TO-247 jest zaprojektowany, aby osiągnąć najlepszy kompromi... |
Infineon IKW40N120CS6XKSA1 |
od PLN 17,368*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 1,2kV; 78A; 350W; SUPER247 (1 Oferta) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: SUPER247 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Prąd kolektora: 78A Typ tranzystora: IGBT Moc rozpraszana: 350W Rodzaj opakowania: tuba Właściwości el... |
|
od PLN 44,04*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 40 A Uce 600 V PG-TO247-3 166 W (1 Oferta) Tranzystor bibiegunowy z izolowaną bramką Infineon z diodą sterowaną szybkim odzyskiwaniem antyrównoległym emiterem.Wysoka sprawność Niskie straty przy przełączaniem Zwiększona niezawodność Niskie ... |
|
od PLN 16,129*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 1,2kV; 40A; 277W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±25V Prąd kolektora: 40A Prąd kolektora w impulsie: 160A Typ tranzystora: IGBT Moc rozprasza... |
|
od PLN 45,20*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 40 A Uce 650 V 1 TO-220 147 W (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 40 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-220 Liczba styków = 3 |
ST Microelectronics STGP20H65DFB2 |
od PLN 4,307*
za szt. |
|
|
|
Alpha & Omega Semiconductor AOK40B120H1 |
od PLN 10,23*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 40 A Uce 600 V 1 PG-TO247-3 170 W (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 40 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 170 W Typ opakowania = PG-TO247-3 Typ montażu... |
|
od PLN 5,768*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 40 A Uce 1350 V PG-TO247-3 310 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 40 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1350 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20 V, ±25 V Maksymalna strata mocy = 310 W Typ opakowania = PG-TO247-3 Licz... |
|
od PLN 9,691*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 1,35kV; 20A; 170W; TO247; 1,05mJ (1 Oferta) Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie kolektor-emiter: 1,35kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Napięcie nasycenia kol.-emit.: 1,57V Prąd kolektora: 20A Prąd kolek... |
Alpha & Omega Semiconductor AOK20B135D1 |
od PLN 10,58*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 40 A Uce 650 V 1 TO-220FP 45 W (1 Oferta) Seria STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 stanowi ewolucję zastrzeżonej przez firmę Advanced struktury bramkowania rowów. Wydajność serii HB2 jest zoptymalizowana pod względem przewodzenia, dzięki le... |
ST Microelectronics STGF20H65DFB2 |
od PLN 5,68*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 1,2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3 (1 Oferta) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 40A Typ tranzystora: IGBT Moc rozpraszana: 483W Rodzaj o... |
|
od PLN 23,14*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 40 A Uce 650 V 1 TO-247 Pojedynczy 147 W (2 ofert) Bramka STMicroelectronics Field-stop, 650 V, 20 A, szybka seria IGBT HB2 w pakiecie DO 247 długich odprowadzeń.Maksymalna temperatura połączenia: TJ = 175 °C. Niskie VCE (SAT) = 1.65 V (standardowo... |
ST Microelectronics STGWA20H65DFB2 |
od PLN 6,289*
za szt. |
|
|
