Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > IGBT

  IGBT  (3 961 ofert spośród 4 917 302 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „IGBT“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"IGBT"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V 1 TO-247N 395 W (1 Oferta) 
Układ ROHM z ogranicznikiem polowym IGBT używany głównie w układzie PFC, UPS, IH i układzie kondycjonera mocy. Rozpraszanie mocy wynosi 395 Watts.Niski kolektor - napięcie nasycenia emitera Czas wy...
ROHM Semiconductor
RGS50TSX2GC11
od PLN 20,724*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; 600V; 15A; 30W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: TOSHIBA Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±25V Prąd kolektora: 15A Prąd kolektora w impulsie: 60A Czas załączania: 180ns Czas wyłączan...
Toshiba
GT15J341,S4X(S
od PLN 4,80*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V 1 TO-247N 395 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Konfiguracja = Pojedyncza Liczba styków = 3
ROHM Semiconductor
RGS50TSX2GC11
od PLN 20,369*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V 1 TO-247N 395 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 395 W Typ opakowania = TO-247N Liczba styków = 3
ROHM Semiconductor
RGS50TSX2DGC11
od PLN 25,449*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V 1 DO-247-3 Pojedynczy kanał: N 428 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 428 W Typ opakowania = DO-247-3 Typ montażu = ...
Infineon
IKW50N120CS7XKSA1
od PLN 23,40*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW
Infineon
FP50R12N2T7PB11BPSA1
od PLN 410,294*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW
Infineon
FP50R12N2T7PB11BPSA1
od PLN 402,941*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; 600V; 20A; 83W; TO247; Ewył: 0,18mJ; Ezał: 0,76mJ (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Napięcie nasycenia kol.-emit.: 1,85V Prąd kolektora: 20A Prąd kolekto...
Alpha & Omega Semiconductor
AOK20B60D1
od PLN 6,86*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V 2 AG-34MM 285 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 285 W Typ opakowania = AG-34MM Typ montażu = M...
Infineon
FF50R12RT4HOSA1
od PLN 344,10*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V 1 TO-247N 395 W (1 Oferta) 
ROHM Field stop trench IGBT używane głównie w falowniku, UPS, falowniku PV i kondycjonerze mocy. Rozpraszanie mocy wynosi 395 Watts.Niski kolektor - napięcie nasycenia emitera Czas wytrzymania zwar...
ROHM Semiconductor
RGS50TSX2DGC11
od PLN 25,343*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW
Infineon
FS50R12N2T7B15BPSA2
od PLN 379,181*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 23A Prąd kolektora w impulsie: 45A Czas załączania: 28ns Cz...
Infineon
IKB15N60TATMA1
od PLN 7,57*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW
Infineon
FS50R12N2T7B15BPSA2
od PLN 344,606*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; 600V; 21A; 140W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 21A Prąd kolektora w impulsie: 60A Typ tranzystora: IGBT Moc...
ST Microelectronics
STGW19NC60HD
od PLN 8,01*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW
Infineon
FP50R12N2T7PBPSA1
od PLN 366,428*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   81   82   83   84   85   86   87   88   89   90   91   ..   265   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.