Podgląd | "Tranzystor"Pojęcia nadrzędne Pojęcia podrzędne |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Fotografia | | | | Zamów | ![](/p.gif) | | |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 300mA, SOT-23 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=PMBF170, Ciągły prąd drenu (Id)=300 mA, Czas opóźnienia wyłączenia=12 ns, Czas opóźnienia włączenia=3 ns, Napięcie bramka-źródło=20 V, Napięcie źródłowe drenu (Vds)=60 V, Rez... |
|
od PLN 0,31* za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 300mA, SOT-23 (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=XP262N7002TR-G, Ciągły prąd drenu (Id)=300 mA, Czas narastania=4 ns, Czas opadania=9 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=30 ns, Czas opóźnienia włączenia=9 ns, Napięcie bramka-źró... |
Torex Semiconductor XP262N7002TR-G |
od PLN 0,17* za szt. |
| |
IGBT Ic 30 A Uce 600 V PG-TO252-3 250 W (1 Oferta) Tranzystor dwubiegunowy z izolowaną bramką Infineon i zintegrowaną diodą w pakietach, co pozwala zaoszczędzić miejsce.Wysoka sprawność Niskie straty przy przełączaniem Zwiększona niezawodność Niski... |
|
od PLN 4,326* za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; PT; 1,2kV; 33A; 417W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 33A Prąd kolektora w impulsie: 90A Czas załączania: 26ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT25GP120BDQ1G |
od PLN 49,79* za szt. |
| |
|
Infineon 2N7002DWH6327XTSA1 |
od PLN 0,24* za szt. |
| |
IGBT Ic 34 A Uce 600 V 1 D2PAK 100 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 34 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 100 W Typ opakowania = D2PAK |
|
od PLN 11 985,072* za 800 szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 10A; 110W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 10A Prąd kolektora w impulsie: 70A Czas załączania: 0,3µs Czas wyłączania... |
|
od PLN 21,33* za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 300mA, TO-92 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=VN2106N3-G, Ciągły prąd drenu (Id)=300 mA, Czas narastania=8 ns, Czas opadania=8 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=9 ns, Czas opóźnienia włączenia=5 ns, Napięcie bramka-źródło=2... |
Microchip Technology VN2106N3-G |
od PLN 1,633* za szt. |
| |
IGBT Ic 34 A Uce 600 V PG-TO247-3-AI Izolacja 111 W (1 Oferta) Tranzystor bibiegunowy z izolowaną bramką i szybką diodą antyrównoległą z serii Infineon o wysokiej prędkości, w całkowicie odizolowanym opakowaniu.Wysoka sprawność Niskie straty przy przełączaniem... |
Infineon IKFW40N60DH3EXKSA1 |
od PLN 14,664* za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 30A, TO-220AB (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=STP36NF06L, Ciągły prąd drenu (Id)=30 A, Czas narastania=80 ns, Czas opadania=13 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=19 ns, Czas opóźnienia włączenia=10 ns, Napięcie bramka-źródło... |
|
od PLN 3,53* za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 16A; 190W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 16A Prąd kolektora w impulsie: 80A Czas załączania: 90ns Czas wyłączania: 1... |
|
od PLN 36,30* za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 310mA, SOT-23 (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=2N7002ET1G, Ciągły prąd drenu (Id)=310 mA, Czas narastania=1.2 ns, Czas opadania=3.6 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=4.8 ns, Czas opóźnienia włączenia=1.7 ns, Napięcie bramka-... |
|
od PLN 0,177* za szt. |
| |
|
Infineon IKWH30N65WR6XKSA1 |
od PLN 7,372* za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; PT; 1,2kV; 46A; 543W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 46A Prąd kolektora w impulsie: 140A Czas załączania: 36n... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT35GP120BG |
od PLN 65,00* za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 310mA, TO-92 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=VN10KN3-G, Ciągły prąd drenu (Id)=310 mA, Czas opóźnienia wyłączenia=10 ns, Czas opóźnienia włączenia=10 ns, Napięcie bramka-źródło=30 V, Napięcie źródłowe drenu (Vds)=60 V, ... |
Microchip Technology VN10KN3-G |
od PLN 1,50* za szt. |
| |
|