Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (21 177 ofert spośród 4 840 879 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 300mA, SOT-23 (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET, Typ=PMBF170, Ciągły prąd drenu (Id)=300 mA, Czas opóźnienia wyłączenia=12 ns, Czas opóźnienia włączenia=3 ns, Napięcie bramka-źródło=20 V, Napięcie źródłowe drenu (Vds)=60 V, Rez...
NXP
PMBF170
od PLN 0,31*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 300mA, SOT-23 (2 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=XP262N7002TR-G, Ciągły prąd drenu (Id)=300 mA, Czas narastania=4 ns, Czas opadania=9 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=30 ns, Czas opóźnienia włączenia=9 ns, Napięcie bramka-źró...
Torex Semiconductor
XP262N7002TR-G
od PLN 0,17*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 30 A Uce 600 V PG-TO252-3 250 W (1 Oferta) 
Tranzystor dwubiegunowy z izolowaną bramką Infineon i zintegrowaną diodą w pakietach, co pozwala zaoszczędzić miejsce.Wysoka sprawność Niskie straty przy przełączaniem Zwiększona niezawodność Niski...
Infineon
IKD15N60RATMA1
od PLN 4,326*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; PT; 1,2kV; 33A; 417W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 33A Prąd kolektora w impulsie: 90A Czas załączania: 26ns...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT25GP120BDQ1G
od PLN 49,79*
za szt.
 
 szt.
Infineon
2N7002DWH6327XTSA1
od PLN 0,24*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 34 A Uce 600 V 1 D2PAK 100 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 34 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 100 W Typ opakowania = D2PAK
Infineon
AUIRG4BC30SSTRL
od PLN 11 985,072*
za 800 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 10A; 110W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 10A Prąd kolektora w impulsie: 70A Czas załączania: 0,3µs Czas wyłączania...
IXYS
IXGH10N170
od PLN 21,33*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 300mA, TO-92 (3 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=VN2106N3-G, Ciągły prąd drenu (Id)=300 mA, Czas narastania=8 ns, Czas opadania=8 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=9 ns, Czas opóźnienia włączenia=5 ns, Napięcie bramka-źródło=2...
Microchip Technology
VN2106N3-G
od PLN 1,633*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 34 A Uce 600 V PG-TO247-3-AI Izolacja 111 W (1 Oferta) 
Tranzystor bibiegunowy z izolowaną bramką i szybką diodą antyrównoległą z serii Infineon o wysokiej prędkości, w całkowicie odizolowanym opakowaniu.Wysoka sprawność Niskie straty przy przełączaniem...
Infineon
IKFW40N60DH3EXKSA1
od PLN 14,664*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 30A, TO-220AB (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET, Typ=STP36NF06L, Ciągły prąd drenu (Id)=30 A, Czas narastania=80 ns, Czas opadania=13 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=19 ns, Czas opóźnienia włączenia=10 ns, Napięcie bramka-źródło...
brak danych
STP36NF06L
od PLN 3,53*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 16A; 190W; TO268 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 16A Prąd kolektora w impulsie: 80A Czas załączania: 90ns Czas wyłączania: 1...
IXYS
IXGT16N170
od PLN 36,30*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 310mA, SOT-23 (2 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=2N7002ET1G, Ciągły prąd drenu (Id)=310 mA, Czas narastania=1.2 ns, Czas opadania=3.6 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=4.8 ns, Czas opóźnienia włączenia=1.7 ns, Napięcie bramka-...
onsemi
2N7002ET1G
od PLN 0,177*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 30 A Uce 650 V 1 TO-247-3-HCC Pojedynczy kanał: N 83 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 83 W Typ opakowania = TO-247-3-HCC Typ montażu ...
Infineon
IKWH30N65WR6XKSA1
od PLN 7,372*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; PT; 1,2kV; 46A; 543W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 46A Prąd kolektora w impulsie: 140A Czas załączania: 36n...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT35GP120BG
od PLN 65,00*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 310mA, TO-92 (3 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=VN10KN3-G, Ciągły prąd drenu (Id)=310 mA, Czas opóźnienia wyłączenia=10 ns, Czas opóźnienia włączenia=10 ns, Napięcie bramka-źródło=30 V, Napięcie źródłowe drenu (Vds)=60 V, ...
Microchip Technology
VN10KN3-G
od PLN 1,50*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   371   372   373   374   375   376   377   378   379   380   381   ..   1412   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.