Podgląd | "Tranzystor"Pojęcia nadrzędne Pojęcia podrzędne |
|  | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 11A; 190W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 11A Prąd kolektora w impulsie: 40A Czas załączania: 35ns Czas wyłączania: 2... |
|
od PLN 39,94*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 320mA, SOT-323 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=BSS138PW, Ciągły prąd drenu (Id)=320 mA, Czas narastania=3 ns, Czas opadania=4 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=9 ns, Czas opóźnienia włączenia=2 ns, Napięcie bramka-źródło=20 ... |
|
od PLN 0,52*
za szt. |
| |
IGBT Ic 35 A Uce 1200 V 7 Moduł 3-fazy kanał: N 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 35 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = Moduł Typ montażu = Mon... |
Infineon FP35R12N2T7B11BPSA1 |
od PLN 3 404,55*
za 10 szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; Planar; 1,2kV; 5A; 45W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 5A Prąd kolektora w impulsie: 9A Czas załączania: 110ns Czas wyłączania: 35... |
|
od PLN 14,55*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 32A, TO-220 (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=FQP30N06L, Ciągły prąd drenu (Id)=32 A, Czas narastania=210 ns, Czas opadania=110 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=60 ns, Czas opóźnienia włączenia=15 ns, Napięcie bramka-źródł... |
|
od PLN 3,141*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 6,702*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 24A; 250W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 24A Prąd kolektora w impulsie: 75A Czas załączania: 54ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 54,17*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 340mA, SOT-323 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=2N7002WT1G, Ciągły prąd drenu (Id)=340 mA, Czas narastania=9 ns, Czas opadania=29 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=55.8 ns, Czas opóźnienia włączenia=12.2 ns, Napięcie bramka-ź... |
|
od PLN 0,119*
za szt. |
| |
|
ROHM Semiconductor RGW60TS65CHRC11 |
od PLN 34,545*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 100A; 1041W; T-Max (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 100A Prąd kolektora w impulsie: 330A Czas załączania: 69ns ... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT80GP60B2G |
od PLN 95,72*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 35A, TO-252 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=STD30NF06LT4, Ciągły prąd drenu (Id)=35 A, Czas narastania=105 ns, Czas opadania=25 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=65 ns, Czas opóźnienia włączenia=30 ns, Napięcie bramka-źró... |
|
od PLN 6,59*
za szt. |
| |
IGBT Ic 35 A Uce 1200 V 7 Moduł 3-fazy kanał: N 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 35 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = Moduł Typ montażu = Mon... |
Infineon FP35R12N2T7B11BPSA1 |
od PLN 343,76*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 21A; 350W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 21A Prąd kolektora w impulsie: 110A Czas załączania: 107ns Czas wyłączani... |
|
od PLN 71,74*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 360mA, SOT-23 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=BSS138P, Ciągły prąd drenu (Id)=360 mA, Czas narastania=3 ns, Czas opadania=4 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=9 ns, Czas opóźnienia włączenia=2 ns, Napięcie bramka-źródło=20 V... |
|
od PLN 0,18*
za szt. |
| |
IGBT Ic 35 A Uce 1200 V AG-EASY1B-711 (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 35 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Typ opakowania = AG-EASY1B-711 |
|
od PLN 126,17188*
za szt. |
| |
|
