Podgląd | "Tranzystor"Pojęcia nadrzędne Pojęcia podrzędne |
|  | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 36A; 290W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 36A Prąd kolektora w impulsie: 109A Czas załączania: 29ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT36GA60B |
od PLN 17,64*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 310mA, TO-92 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=VN10KN3-G, Ciągły prąd drenu (Id)=310 mA, Czas opóźnienia wyłączenia=10 ns, Czas opóźnienia włączenia=10 ns, Napięcie bramka-źródło=30 V, Napięcie źródłowe drenu (Vds)=60 V, ... |
Microchip Technology VN10KN3-G |
od PLN 1,49*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX4™; 650V; 80A; 625W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 80A Prąd kolektora w impulsie: 430A Czas załączania: 125ns Czas wyłączania... |
|
od PLN 30,63*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 320mA, SOT-323 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=BSS138PW, Ciągły prąd drenu (Id)=320 mA, Czas narastania=3 ns, Czas opadania=4 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=9 ns, Czas opóźnienia włączenia=2 ns, Napięcie bramka-źródło=20 ... |
|
od PLN 0,52*
za szt. |
| |
IGBT Ic 30 A Uce 1200 V 1 TO-247N 267 W (1 Oferta) ROHM Field stop trench IGBT używany głównie w falowniku i do zastosowań motoryzacyjnych i przemysłowych. Rozpraszanie mocy wynosi 267 Watts.Niski kolektor - napięcie nasycenia emitera Czas wytrzyma... |
ROHM Semiconductor RGS30TSX2DHRC11 |
od PLN 21,283*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 32A, TO-220 (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=FQP30N06L, Ciągły prąd drenu (Id)=32 A, Czas narastania=210 ns, Czas opadania=110 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=60 ns, Czas opóźnienia włączenia=15 ns, Napięcie bramka-źródł... |
|
od PLN 3,141*
za szt. |
| |
IGBT Ic 23 A Uce 600 V TO-220AB Pojedynczy kanał: N (1 Oferta) Pojedynczy IGBT do 20A, Infineon. Zoptymalizowane układy IGBT przeznaczone do zastosowań w średnich częstotliwościach z szybką reakcją, zapewniające użytkownikowi najwyższą dostępną wydajność. Urzą... |
|
od PLN 204,72*
za 50 szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX4™; 650V; 12A; 160W; TO220-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 12A Prąd kolektora w impulsie: 70A Czas załączania: 44ns Czas wyłączania: ... |
|
od PLN 8,35*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 340mA, SOT-323 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=2N7002WT1G, Ciągły prąd drenu (Id)=340 mA, Czas narastania=9 ns, Czas opadania=29 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=55.8 ns, Czas opóźnienia włączenia=12.2 ns, Napięcie bramka-ź... |
|
od PLN 0,119*
za szt. |
| |
IGBT Ic 250 A Uce 6500 V 3 CTI 1000 kW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 250 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 6500 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 1000 kW Typ opakowania = CTI Typ montażu = Mo... |
|
od PLN 4 534,746*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 49A; 463W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 49A Prąd kolektora w impulsie: 120A Czas załączania: 31ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT30GP60BDQ1G |
od PLN 35,96*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 35A, TO-252 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=STD30NF06LT4, Ciągły prąd drenu (Id)=35 A, Czas narastania=105 ns, Czas opadania=25 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=65 ns, Czas opóźnienia włączenia=30 ns, Napięcie bramka-źró... |
|
od PLN 8,38*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,2kV; 18A; 250W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 18A Prąd kolektora w impulsie: 45A Czas załączania: 21ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT15GT120BRDQ1G |
od PLN 22,40*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 360mA, SOT-23 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=BSS138P, Ciągły prąd drenu (Id)=360 mA, Czas narastania=3 ns, Czas opadania=4 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=9 ns, Czas opóźnienia włączenia=2 ns, Napięcie bramka-źródło=20 V... |
|
od PLN 0,18*
za szt. |
| |
IGBT Ic 30 A Uce 1200 V 1 TO-247N 267 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 267 W Typ opakowania = TO-247N Liczba styków = 3 |
ROHM Semiconductor RGS30TSX2HRC11 |
od PLN 16,261*
za szt. |
| |
|
