Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 895 ofert spośród 4 927 281 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
IGBT Ic 30 A Uce 1200 V 1 TO-247N 267 W (1 Oferta) 
ROHM Field stop trench IGBT używany głównie jako grzejnika dla motoryzacji. Rozpraszanie mocy wynosi 267 Watts.Niski kolektor - napięcie nasycenia emitera Czas wytrzymania zwarcia 10 μs Zgodność z ...
ROHM Semiconductor
RGS30TSX2HRC11
od PLN 17,539*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,2kV; 50A; 694W; T-Max (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 200A Czas załączania: 66ns ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT50GR120B2
od PLN 44,62*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 500mA, TO-92 (3 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=BS170, Ciągły prąd drenu (Id)=500 mA, Czas opóźnienia wyłączenia=10 ns, Czas opóźnienia włączenia=10 ns, Napięcie bramka-źródło=20 V, Napięcie źródłowe drenu (Vds)=60 V, Rezy...
onsemi
BS170
od PLN 0,36*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 30 A Uce 600 V 1 TO-247 230 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247
Bourns
BIDW30N60T
od PLN 11,512*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 40A Prąd kolektora w impulsie: 215A Czas załączania: 71ns Czas wyłączania:...
IXYS
IXXH40N65C4D1
od PLN 19,82*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 25 A Uce 1200 V 7 kanał: N 160 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 25 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 160 W Konfiguracja = Emiter wspólny Typ montaż...
Infineon
FP25R12KT4BPSA1
od PLN 418,02*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; GenX4™; 650V; 80A; 625W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 80A Prąd kolektora w impulsie: 430A Czas załączania: 125ns Czas wyłączania...
IXYS
IXXH80N65B4
od PLN 20,37*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 50A, TO-220AB (3 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=IRFZ48RPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=50 A, Czas narastania=250 ns, Czas opadania=250 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=210 ns, Czas opóźnienia włączenia=8.1 ns, Napięcie bramka-źr...
Vishay
IRFZ48RPBF
od PLN 4,50*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 30 A Uce 1200 V 1 TO-247N 267 W (1 Oferta) 
Układ ROHM z ogranicznikiem polowym IGBT używany głównie w układzie PFC, UPS, IH i układzie kondycjonera mocy. Rozpraszanie mocy wynosi 267 Watts.Niski kolektor - napięcie nasycenia emitera Czas wy...
ROHM Semiconductor
RGS30TSX2GC11
od PLN 15,542*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 36A; 417W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 36A Prąd kolektora w impulsie: 110A Czas załączania: 29ns...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT25GP90BG
od PLN 36,33*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 50A, TO-220AB (2 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=DIT050N06, Ciągły prąd drenu (Id)=50 A, Czas narastania=5.1 ns, Czas opadania=5.5 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=28.2 ns, Czas opóźnienia włączenia=7.4 ns, Napięcie bramka-źr...
Diotec
DIT050N06
od PLN 2,12*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 30 A Uce 1200 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 110 W (1 Oferta) 
Infineon TrenchStop tranzystory IGBT, 1100 do 1600. Seria tranzystorów IGBT firmy Infineon z wartościami napięcia znamionowymi emitera emitującego światło kolekcjonerskie od 1100 do 1600 V, wyposaż...
Infineon
IGW15T120FKSA1
od PLN 351,5802*
za 30 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,2kV; 75A; 781W; T-Max (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 75A Prąd kolektora w impulsie: 150A Czas załączania: 68ns ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT50GF120B2RG
od PLN 86,81*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 50A, TO-220AB (3 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=IRFZ44RPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=50 A, Czas narastania=110 ns, Czas opadania=92 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=45 ns, Czas opóźnienia włączenia=14 ns, Napięcie bramka-źródł...
Vishay
IRFZ44RPBF
od PLN 3,91*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 30 A Uce 600 V 1 TO-263-3 110 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 110 W Typ opakowania = TO-263-3
Infineon
IKB10N60TATMA1
od PLN 5,006*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   371   372   373   374   375   376   377   378   379   380   381   ..   1393   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.