 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 43A; 337W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 43A Prąd kolektora w impulsie: 129A Czas załączania: 28ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT43GA90B |
od PLN 25,64*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 75V, 42A, TO-252 (4 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRFR2407TRPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=42 A, Czas narastania=90 ns, Czas opadania=66 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=65 ns, Czas opóźnienia włączenia=16 ns, Napięcie bramka-źró... |
|
od PLN 2,163*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 36A; 417W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 36A Prąd kolektora w impulsie: 110A Czas załączania: 29ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT25GP90BDQ1G |
od PLN 39,42*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 2,03*
za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGW60TS65DHRC11 |
od PLN 18,376*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 159,89*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 75V, 80A, TO-220 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=STP75NF75, Ciągły prąd drenu (Id)=80 A, Czas narastania=100 ns, Czas opadania=30 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=66 ns, Czas opóźnienia włączenia=25 ns, Napięcie bramka-źródło... |
|
od PLN 8,42*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 34 A Uce 600 V 1 D2PAK 100 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 34 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 100 W Typ opakowania = D2PAK |
|
PLN 15,45*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 531,82*
za szt. |
|
|
|
Infineon IPP052NE7N3GXKSA1 |
od PLN 3,448*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 64A; 500W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 64A Prąd kolektora w impulsie: 193A Czas załączania: 44ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT64GA90B |
od PLN 35,40*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 2,06*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 40 A Uce 1200 V 1 TO-247 kanał: N 333 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 40 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20 V, ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Ot... |
Infineon IKW40N120CH7XKSA1 |
od PLN 19,851*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 50A; 543W; T-Max (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 160A Czas załączania: 37ns C... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT40GP90B2DQ2G |
od PLN 76,27*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 2,53*
za szt. |
|
|
