Podgląd | "Tranzystor"Pojęcia nadrzędne Pojęcia podrzędne |
|  | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
|
|
od PLN 2,04*
za szt. |
| |
IGBT Ic 30 A Uce 650 V PG-TO263-3 105 W (1 Oferta) Tranzystor dwubiegunowy z przełączaniem wysokoprędkościowym Infineon z izolowaną bramką i pełnym prądem znamionowym, diodą antyrównoległą Rapid 1, posiada również napięcie przebicia 650 v.Wysoka sp... |
|
od PLN 7,989*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,2kV; 50A; 694W; TO264 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 200A Czas załączania: 66ns ... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT50GR120L |
od PLN 43,21*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 650V, 60A, TO-247 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IXFH60N65X2, Ciągły prąd drenu (Id)=60 A, Czas narastania=23 ns, Czas opadania=12 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=63 ns, Czas opóźnienia włączenia=30 ns, Napięcie bramka-źródł... |
|
od PLN 29,70*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,6kV; 25A; 300W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,6kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 25A Prąd kolektora w impulsie: 200A Czas załączania: 283ns Czas wyłączani... |
|
od PLN 43,69*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 650V, 60A, TO-268HV (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IXFT60N65X2HV, Ciągły prąd drenu (Id)=60 A, Czas narastania=23 ns, Czas opadania=12 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=63 ns, Czas opóźnienia włączenia=30 ns, Napięcie bramka-źró... |
|
od PLN 32,39*
za szt. |
| |
|
ROHM Semiconductor RGW60TS65EHRC11 |
od PLN 18,415*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 650V, 80A, TO-247 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IXTH80N65X2, Ciągły prąd drenu (Id)=80 A, Czas narastania=11 ns, Czas opadania=7 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=72 ns, Czas opóźnienia włączenia=36 ns, Napięcie bramka-źródło... |
|
od PLN 35,19*
za szt. |
| |
|
ROHM Semiconductor RGW60TS65EHRC11 |
od PLN 21,685*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 5A; 140W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 5A Prąd kolektora w impulsie: 20A Czas załączania: 107ns Czas wyłączania: 2... |
|
od PLN 24,65*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 650V, 80A, TO-247 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IXFH80N65X2, Ciągły prąd drenu (Id)=80 A, Czas narastania=24 ns, Czas opadania=11 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=70 ns, Czas opóźnienia włączenia=32 ns, Napięcie bramka-źródł... |
|
od PLN 40,22*
za szt. |
| |
IGBT Ic 300 A Uce 1700 V CTI 1,8 kW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 300 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1700 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 1,8 kW Typ opakowania = CTI Typ montażu = Mon... |
|
od PLN 682,192*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,2kV; 85A; 962W; TO264 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 85A Prąd kolektora w impulsie: 340A Czas załączania: 113ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT85GR120L |
od PLN 62,55*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 650V, 80A, TO-247 (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IXFH80N65X2-4, Ciągły prąd drenu (Id)=80 A, Czas narastania=24 ns, Czas opadania=11 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=70 ns, Czas opóźnienia włączenia=32 ns, Napięcie bramka-źró... |
|
od PLN 40,48*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 3,206*
za szt. |
| |
|
