Podgląd | "Tranzystor"Pojęcia nadrzędne Pojęcia podrzędne |
|  | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
Tranzystor: IGBT; Trench; 600V; 90A; 227W; TO247AC (1 Oferta) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247AC Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 90A Prąd kolektora w impulsie: 225A Czas załączania: 115n... |
|
od PLN 38,24*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 800V, 44A, TO-264 (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IXFK44N80Q3, Ciągły prąd drenu (Id)=44 A, Czas narastania=60 ns, Czas opadania=20 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=63 ns, Czas opóźnienia włączenia=45 ns, Napięcie bramka-źródł... |
|
od PLN 121,79*
za szt. |
| |
IGBT Ic 34 A Uce 600 V PG-TO247-3-AI Izolacja 111 W (1 Oferta) Tranzystor bibiegunowy z izolowaną bramką i szybką diodą antyrównoległą z serii Infineon o wysokiej prędkości, w całkowicie odizolowanym opakowaniu.Wysoka sprawność Niskie straty przy przełączaniem... |
Infineon IKFW40N60DH3EXKSA1 |
od PLN 14,734*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; PT; 1,2kV; 33A; 417W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 33A Prąd kolektora w impulsie: 90A Czas załączania: 26ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT25GP120BDQ1G |
od PLN 48,71*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 4,05*
za szt. |
| |
|
Infineon FP35R12W2T7B11BOMA1 |
od PLN 186,29*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; PT; 1,2kV; 40A; 360W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 40A Prąd kolektora w impulsie: 160A Czas załączania: 55ns Czas wyłączania... |
|
od PLN 39,84*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 800V, 5.2A, TO-220AB (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=STP7NK80Z, Ciągły prąd drenu (Id)=5.2 A, Czas narastania=12 ns, Czas opadania=20 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=45 ns, Czas opóźnienia włączenia=20 ns, Napięcie bramka-źródło... |
|
od PLN 7,57*
za szt. |
| |
IGBT Ic 35 A Uce 1200 V AG-EASY1B-711 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 35 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20.0V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = AG-EASY1B-711 |
Infineon FS35R12W1T7B11BOMA1 |
od PLN 131,291*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 7,62*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 800V, 62A, ISOPLUS264 (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IXFB62N80Q3, Ciągły prąd drenu (Id)=62 A, Czas narastania=20 ns, Czas opadania=11 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=62 ns, Czas opóźnienia włączenia=54 ns, Napięcie bramka-źródł... |
|
od PLN 128,53*
za szt. |
| |
IGBT Ic 40 A Uce 600 V PG-TO247-3 166 W (1 Oferta) Tranzystor bibiegunowy z izolowaną bramką Infineon z diodą sterowaną szybkim odzyskiwaniem antyrównoległym emiterem.Wysoka sprawność Niskie straty przy przełączaniem Zwiększona niezawodność Niskie ... |
|
od PLN 16,169*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 5,586*
za szt. |
| |
IGBT Ic 35 A Uce 1200 V 7 Moduł 3-fazy kanał: N 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 35 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = Moduł Typ montażu = Mon... |
Infineon FP35R12N2T7B11BPSA1 |
PLN 212,449*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; PT; 1,2kV; 46A; 543W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 46A Prąd kolektora w impulsie: 140A Czas załączania: 36n... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT35GP120BG |
od PLN 63,59*
za szt. |
| |
|
