Podgląd | "Tranzystor"Pojęcia nadrzędne Pojęcia podrzędne |
|  | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
|
|
od PLN 16,07*
za szt. |
| |
IGBT Ic 300 A Uce 1700 V CTI 1,8 kW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 300 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1700 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 1,8 kW Typ opakowania = CTI Typ montażu = Mon... |
|
od PLN 580,90*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 72A; 625W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 72A Prąd kolektora w impulsie: 190A Czas załączania: 55ns ... |
Microchip Technology APT50GP60BG |
od PLN 54,22*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 800V, 1A, SOT-223 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=STN1NK80Z, Ciągły prąd drenu (Id)=1 A, Czas narastania=23 ns, Czas opadania=28 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=18 ns, Czas opóźnienia włączenia=7 ns, Napięcie bramka-źródło=30... |
|
od PLN 3,38*
za szt. |
| |
|
ROHM Semiconductor RGW60TS65DHRC11 |
od PLN 16,598*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 64A; 500W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 64A Prąd kolektora w impulsie: 193A Czas załączania: 44ns ... |
Microchip Technology APT64GA90B |
od PLN 36,77*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 800V, 2.5A, DPAK (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=STD3NK80ZT4, Ciągły prąd drenu (Id)=2.5 A, Czas narastania=27 ns, Czas opadania=40 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=36 ns, Czas opóźnienia włączenia=17 ns, Napięcie bramka-źród... |
|
od PLN 4,46*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; Planar; 1,2kV; 5A; 45W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 5A Prąd kolektora w impulsie: 9A Czas załączania: 110ns Czas wyłączania: 35... |
|
od PLN 14,69*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 800V, 20A, ISOPLUS247 (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IXFR32N80P, Ciągły prąd drenu (Id)=20 A, Czas narastania=24 ns, Czas opadania=24 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=85 ns, Czas opóźnienia włączenia=30 ns, Napięcie bramka-źródło... |
|
od PLN 47,03*
za szt. |
| |
IGBT Ic 35 A Uce 1200 V AG-ECONO2C-311 210 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 35 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 210 W Typ opakowania = AG-ECONO2C-311 |
|
od PLN 6 815,014*
za 15 szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 43A; 337W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 43A Prąd kolektora w impulsie: 129A Czas załączania: 28ns ... |
Microchip Technology APT43GA90BD30 |
od PLN 33,59*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 800V, 25A, ISOPLUS247 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IXFR44N80P, Ciągły prąd drenu (Id)=25 A, Czas narastania=22 ns, Czas opadania=27 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=75 ns, Czas opóźnienia włączenia=28 ns, Napięcie bramka-źródło... |
|
od PLN 61,65*
za szt. |
| |
IGBT Ic 34 A Uce 600 V PG-TO247-3-AI Izolacja 111 W (1 Oferta) Tranzystor bibiegunowy z izolowaną bramką i szybką diodą antyrównoległą z serii Infineon o wysokiej prędkości, w całkowicie odizolowanym opakowaniu.Wysoka sprawność Niskie straty przy przełączaniem... |
Infineon IKFW40N60DH3EXKSA1 |
od PLN 8,621*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 21A; 250W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 21A Prąd kolektora w impulsie: 60A Czas załączania: 23ns C... |
Microchip Technology APT15GP90BDQ1G |
od PLN 25,68*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 1,442*
za szt. |
| |
|
