Podgląd | "Tranzystor"Pojęcia nadrzędne Pojęcia podrzędne |
|  | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 68A; 520W; T-Max (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 68A Prąd kolektora w impulsie: 202A Czas załączania: 46ns C... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT68GA60B2D40 |
od PLN 46,24*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 85V, 215A, TO-220AB (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=DIT195N08, Ciągły prąd drenu (Id)=215 A, Czas narastania=66 ns, Czas opadania=35 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=92 ns, Czas opóźnienia włączenia=62 ns, Napięcie bramka-źródło... |
|
od PLN 10,00*
za szt. |
| |
|
Infineon IKW40N120CS7XKSA1 |
od PLN 20,237*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 68A; 520W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 68A Prąd kolektora w impulsie: 202A Czas załączania: 46ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT68GA60B |
od PLN 33,03*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 900V, 1.6A, TO-247AC (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRFPF50PBF, Ciągły prąd drenu (Id)=1.6 A, Czas narastania=34 ns, Czas opadania=37 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=130 ns, Czas opóźnienia włączenia=20 ns, Napięcie bramka-źród... |
|
od PLN 8,46*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; XPT™; 1,7kV; 16A; 310W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 16A Prąd kolektora w impulsie: 100A Czas załączania: 35ns Czas wyłączania... |
|
od PLN 28,81*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 900V, 11A, TO-247 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=STW12NK90Z, Ciągły prąd drenu (Id)=11 A, Czas narastania=20 ns, Czas opadania=55 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=88 ns, Czas opóźnienia włączenia=31 ns, Napięcie bramka-źródło... |
|
od PLN 25,19*
za szt. |
| |
|
ROHM Semiconductor RGW80TS65CHRC11 |
od PLN 45,262*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 900V, 15A, TO-247 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=STW15NK90Z, Ciągły prąd drenu (Id)=15 A, Czas narastania=27 ns, Czas opadania=35 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=135 ns, Czas opóźnienia włączenia=42 ns, Napięcie bramka-źródł... |
|
od PLN 36,19*
za szt. |
| |
IGBT Ic 372 A Uce 650 V 2 INT-A-PAK kanał: N 789 W (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 372 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Maksymalna strata mocy = 789 W Typ opakowania = INT-A-PAK Typ montażu ... |
|
od PLN 352,316*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 72A; 625W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 72A Prąd kolektora w impulsie: 190A Czas załączania: 55ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT50GP60BG |
od PLN 52,12*
za szt. |
| |
|
Infineon BSL308CH6327XTSA1 |
od PLN 0,73*
za szt. |
| |
IGBT Ic 40 A Uce 1200 V 1 TO-247 kanał: N 500 W (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 40 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20 V, ±30V Maksymalna strata mocy = 500 W Typ opakowania = TO-247 Typ monta... |
Infineon IKY40N120CH3XKSA1 |
od PLN 22,55*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 80A; 625W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 80A Prąd kolektora w impulsie: 240A Czas załączania: 52ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT80GA60B |
od PLN 39,80*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał P / Kanał N, 40V, TO-252 (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=FDD8424H, Ciągły prąd drenu (Id)=-999, Czas opóźnienia wyłączenia=-999, Czas opóźnienia włączenia=-999, Napięcie bramka-źródło=20 V, Napięcie źródłowe drenu (Vds)=40 V, Rezys... |
|
od PLN 2,859*
za szt. |
| |
|
