 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 80A; 625W; TO264 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 80A Prąd kolektora w impulsie: 239A Czas załączania: 49ns Cz... |
Microchip Technology APT80GA90LD40 |
od PLN 61,71*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 3,245*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 35 A Uce 1200 V AG-EASY1B-711 (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 35 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Typ opakowania = AG-EASY1B-711 |
|
od PLN 3 017,325*
za 24 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 50A; 543W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 160A Czas załączania: 43ns ... |
Microchip Technology APT40GP90BG |
od PLN 66,89*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 800V, 7A, TO-220 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IXFP7N80P, Ciągły prąd drenu (Id)=7 A, Czas narastania=32 ns, Czas opadania=24 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=55 ns, Czas opóźnienia włączenia=28 ns, Napięcie bramka-źródło=3... |
|
od PLN 10,64*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 300 A Uce 1700 V CTI 1,8 kW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 300 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1700 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 1,8 kW Typ opakowania = CTI Typ montażu = Mon... |
|
od PLN 5 655,08*
za 10 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: BASiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 200A Czas załączania: 54ns C... |
BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65HS1 |
od PLN 32,60*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 6,06*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 1,2kV; 91A; 1042W; T-Max (1 Oferta) Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 91A Prąd kolektora w impulsie: 300A Czas załączania: 60ns C... |
Microchip Technology APT75GP120B2G |
od PLN 107,37*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 800V, 9A, TO-247 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=STW10NK80Z, Ciągły prąd drenu (Id)=9 A, Czas narastania=20 ns, Czas opadania=17 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=65 ns, Czas opóźnienia włączenia=30 ns, Napięcie bramka-źródło=... |
|
od PLN 22,02*
za szt. |
|
|
|
Infineon IKW40N120CS7XKSA1 |
od PLN 20,882*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: BASiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 200A Czas załączania: 54ns C... |
BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65HF1 |
od PLN 30,55*
za szt. |
|
|
|
Infineon IPP037N08N3GXKSA1 |
od PLN 5,898*
za szt. |
|
|
|
Infineon FP35R12W2T7B11BOMA1 |
od PLN 2 967,765*
za 15 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 80A; 625W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 80A Prąd kolektora w impulsie: 239A Czas załączania: 49ns ... |
Microchip Technology APT80GA90B |
od PLN 46,07*
za szt. |
|
|
