Podgląd | "Tranzystor"Pojęcia nadrzędne Pojęcia podrzędne |
|  | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
IGBT Ic 30 A Uce 650 V PG-TO247-3 185 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 185 W Typ opakowania = PG-TO247-3 |
|
od PLN 7,299*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 36A; 290W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 36A Prąd kolektora w impulsie: 109A Czas załączania: 29ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT36GA60B |
od PLN 17,92*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 4A, SOIC-8 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=STS4DNF60L, Ciągły prąd drenu (Id)=4 A, Czas narastania=28 ns, Czas opadania=40 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=45 ns, Czas opóźnienia włączenia=15 ns, Napięcie bramka-źródło=... |
|
od PLN 6,10*
za szt. |
| |
|
Infineon FP35R12W2T7B11BOMA1 |
od PLN 173,544*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 3A; 75W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 3A Prąd kolektora w impulsie: 24A Czas załączania: 85ns Czas wyłączania: 0,... |
|
od PLN 33,15*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 4A, SOT-223 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=NDT3055L, Ciągły prąd drenu (Id)=4 A, Czas narastania=20 ns, Czas opadania=20 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=50 ns, Czas opóźnienia włączenia=20 ns, Napięcie bramka-źródło=20... |
|
od PLN 1,514*
za szt. |
| |
IGBT Ic 35 A Uce 1200 V AG-ECONO2C-211 210 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 35 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 210 W Typ opakowania = AG-ECONO2C-211 |
Infineon FP35R12KT4B15BPSA1 |
od PLN 452,9342*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; PT; 1,2kV; 54A; 625W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 54A Prąd kolektora w impulsie: 170A Czas załączania: 47n... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT45GP120BG |
od PLN 74,46*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 500mA, SOT-23 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=MMBF170, Ciągły prąd drenu (Id)=500 mA, Czas opóźnienia wyłączenia=10 ns, Czas opóźnienia włączenia=10 ns, Napięcie bramka-źródło=20 V, Napięcie źródłowe drenu (Vds)=60 V, Re... |
|
od PLN 0,238*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 352,02*
za 30 szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 6A; 75W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 6A Prąd kolektora w impulsie: 14A Czas załączania: 91ns Czas wyłączania: ... |
|
od PLN 33,17*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 500mA, SOT-23 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=MMBF170-7-F, Ciągły prąd drenu (Id)=500 mA, Czas opóźnienia wyłączenia=10 ns, Czas opóźnienia włączenia=10 ns, Napięcie bramka-źródło=20 V, Napięcie źródłowe drenu (Vds)=60 V... |
|
od PLN 0,201*
za szt. |
| |
IGBT Ic 310 A Uce 950 V Moduł EasyPACK 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 310 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 950 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = Moduł EasyPACK |
|
od PLN 911,751*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 49A; 463W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 49A Prąd kolektora w impulsie: 120A Czas załączania: 31ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT30GP60BDQ1G |
od PLN 36,25*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 500mA, TO-92 (4 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=BS170-D27Z, Ciągły prąd drenu (Id)=500 mA, Czas opóźnienia wyłączenia=-999, Czas opóźnienia włączenia=-999, Napięcie bramka-źródło=20 V, Napięcie źródłowe drenu (Vds)=60 V, R... |
|
od PLN 0,307*
za szt. |
| |
|
