Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Tranzystor: IGBT; PT; 1,2kV; 33A; 417W; TO247-3


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Tranzystor: IGBT; PT; 1,2kV; 33A; 417W; TO247-3
Tranzystor: IGBT; PT; 1,2kV; 33A; 417W; TO247-3
Nr artykułu:
     8WVXN-APT25GP120BDQ1G
Producent:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
Nr producenta:
     APT25GP120BDQ1G
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Tranzystor
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI)
Montaż: THT
Obudowa: TO247-3
Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV
Napięcie bramka - emiter: ±30V
Prąd kolektora: 33A
Prąd kolektora w impulsie: 90A
Czas załączania: 26ns
Czas wyłączania: 200ns
Typ tranzystora: IGBT
Moc rozpraszana: 417W
Rodzaj opakowania: tuba
Właściwości elementów półprzewodnikowych: integrated anti-parallel diode
Ładunek bramki: 110nC
Technologia: POWER MOS 7®;PT
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 49,84*
  
Cena obowiązuje od 3 000 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 65,77*
PLN 80,90
za szt.
od 2 szt.
PLN 64,69*
PLN 79,57
za szt.
od 3 szt.
PLN 61,66*
PLN 75,84
za szt.
od 5 szt.
PLN 59,61*
PLN 73,32
za szt.
od 10 szt.
PLN 57,87*
PLN 71,18
za szt.
od 20 szt.
PLN 56,63*
PLN 69,65
za szt.
od 3000 szt.
PLN 49,84*
PLN 61,30
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.