Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 951 ofert spośród 4 926 784 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 54,9 A PG-TO247-3 800 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 54,9 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 800 V Typ opakowania = PG-TO247-3 Typ montażu = Otwór przezierny
Infineon
SPW55N80C3FKSA1
od PLN 51,904*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 5A; TO262 (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: ALPHA & OMEGA SEMICO...
Alpha & Omega Semiconductor
AOW7S60
od PLN 2,93*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 50 A WPAK 30 V SMD 0.0029 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 50 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Seria = BEAM Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.0...
Renesas Electronics
RJK0391DPA-00J5A
od PLN 13 242,99*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Infineon
IPW60R037P7XKSA1
od PLN 26,671*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 523 A D2PAK-7 40 V SMD 0.00069 O. (1 Oferta) 
Tranzystory Infineon HEXFET Power MOSFET wykorzystują najnowsze techniki przetwarzania, aby osiągnąć bardzo niską odporność na każdy obszar krzemu. Dodatkowe cechy tej konstrukcji to temperatura ro...
Infineon
AUIRFSA8409-7TRL
od PLN 10 332,32*
za 800 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 44A; Idm: 245A; 1135W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 44A Rezystancja w stanie przewodzenia: 90mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1135W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT66M60L
od PLN 76,72*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 50 A TO-220 600 V 40 MO (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 50 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = TO-220 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródł...
Infineon
IPP60R040C7XKSA1
od PLN 31,142*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 43A; Idm: 172A; 565W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 43A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,13Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 565W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT6013LLLG
od PLN 97,55*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 540 mA SOT-23 55 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 540 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 55 V Typ opakowania = SOT-23 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ = 1
Infineon
BSS670S2LH6433XTMA1
od PLN 0,34*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 6,4A; TO220F (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO220F Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 6,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,75Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipol...
Alpha & Omega Semiconductor
AOTF10N60
od PLN 3,28*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 50 mA CPH 25 V SMD Pojedynczy 700 mW (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 50 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 25 V Typ opakowania = CPH Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Maksymalna strata mocy = 700 mW...
onsemi
NSVJ6904DSB6T1G
od PLN 1,274*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPP60R600P7XKSA1
od PLN 3,00*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 53 A TO-247-4 650 V 0.042 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 53 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-247-4 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-źró...
Infineon
IMZA65R030M1HXKSA1
od PLN 42,964*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 47A; 417W; TO247 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 47A Rezystancja w stanie przewodzenia: 70mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 417W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT47N60BC3G
od PLN 69,97*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 50 A TO-220AB 60 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 50 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = TO-220AB Typ montażu = Otwór przezierny
Vishay
IRFZ44PBF
od PLN 4,43*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   891   892   893   894   895   896   897   898   899   900   901   ..   1531   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.