MOSFET kup korzystnie w Mercateo (strona 899/1 531)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 6A; 51W; PG-TO252-3 (1 Oferta)

Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TO252-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,536Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 51W P...

Infineon

IPD60R280CFD7

od PLN 7,05*
za szt.

Infineon IPD50N06S4L-08 tranzystor 60 V (1 Oferta)

Infineon

IPD50N06S4L08ATMA2

od PLN 3 667,65*
za 2 500 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 7A; 75W; TO220FP; 500ns (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220FP Czas gotowości: 0,5µs Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,55Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 75W ...

IXYS

IXTP14N60PM

od PLN 9,13*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 50 A DPAK (TO-252) 60 V SMD 0.009 Ω (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 50 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = DPAK (TO-252) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja...

Infineon

IPD50N06S409ATMA2

od PLN 1,436*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 52.1 A PowerPAK SO-8 60 V SMD (2 ofert)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 52.1 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PowerPAK SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8

Vishay

SiR4602LDP-T1-RE3

od PLN 5 219,49*
za 3 000 szt.

MOSFET N-kanałowy 575 A PowerPAK 8 x 8LR 40 V SMD 0.0019 Ω (1 Oferta)

Firma Vishay Siliconix utrzymuje dane dotyczące niezawodności technologii półprzewodników i niezawodności pakietów, co stanowi złożony materiał wszystkich wykwalifikowanych lokalizacji.Kwalifikacja...

Vishay

SQJQ144AER-T1_GE3

od PLN 7,70*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 7,2A; 125W; TO252 (1 Oferta)

Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TO252 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 7,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,38Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 125...

Alpha & Omega Semiconductor

AOD380A60

od PLN 6,76*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 50 A WPAK 30 V SMD 0.0029 Ω (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 50 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Seria = BEAM Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.0...

Renesas Electronics

RJK0391DPA-00J5A

od PLN 2,525*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 50 A MG-WDSON-2 80 V SMD 0.0104 O. (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 50 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Seria = OptiMOS™ Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Maksymalna rezystancja dren-źródło =...

Infineon

BSB104N08NP3GXUSA1

od PLN 4,149*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 52.4 A PowerDI3333-8 40 V SMD 0.0089 O. (2 ofert)

Seria DiodesZetex DMTH48M3SFVWQ to N-kanałowy system MOSFET, który został zaprojektowany z myślą o spełnieniu surowych wymagań w zakresie zastosowań motoryzacyjnych. Jest on używany w funkcjach zar...

Diodes

DMTH48M3SFVWQ-7

od PLN 0,812*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 7A; 62,5W; TO220FP (1 Oferta)

Producent: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,38Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 62,5W Pola...

Taiwan Semiconductor

TSM60NB380CF C0G

od PLN 5,80*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 576 A Taca 1200 V Montaż na śrubie (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 576 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = Taca Typ montażu = Montaż na śrubie

ROHM Semiconductor

BSM600C12P3G201

od PLN 3 873,369*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 7,2A; 240W; TO220FP (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 7,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,65Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 240W Polaryzacja: unip...

onsemi

FDPF12N60NZ

od PLN 5,17*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 500 A LFPAK88 40 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 500 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = LFPAK88 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Liczba elementów na układ = 1

Nexperia

PSMNR55-40SSHJ

od PLN 11,577*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 50 A QDPAK 600 V SMD 0.01 Ω (1 Oferta)

Infineon IPDQ60R010S7A to tranzystor MOSFET o wysokim napięciu, zaprojektowany jako przełącznik statyczny zgodnie z zasadą SUPER JUJN (SJ). mosfet łączy w sobie doświadczenie wiodącego dostawcy MOS...

Infineon

IPDQ60R010S7AXTMA1

od PLN 63,363*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 891 892 893 894 895 896 897 898 899 900 901 .. 1531 Dalej

MOSFET (22 963 ofert spośród 5 040 376 artykułów)

"MOSFET"