Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 951 ofert spośród 4 926 784 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 44A; Idm: 245A; 1135W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 44A Rezystancja w stanie przewodzenia: 90mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1135W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT66F60L
od PLN 85,27*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 540 mA X2-DFN0604-3 20 V 0.99 O. (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 540 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Seria = DMN2991UFO Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.99 O. Tryb kanałowy = Rozszer...
Diodes
DMN2991UFO-7B
od PLN 0,36*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 6,93A; 90W; DPAK (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 6,93A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,36Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 90W Polaryza...
ST Microelectronics
STD13NM60N
od PLN 3,34*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 500 A LFPAK88 40 V SMD (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 500 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = LFPAK88 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Liczba elementów na układ = 1
Nexperia
PSMNR55-40SSHJ
od PLN 13,19*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 530 mA SC-89 20 V SMD (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 530 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = SC-89 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Vishay
SI1062X-T1-GE3
od PLN 0,259*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 48A; 540W; ISOPLUS247™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS247™ Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 85mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 540W Polaryzacja: unip...
IXYS
IXFR80N60P3
od PLN 52,22*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 50 A TO-247-4 600 V 40 MO (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 50 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Seria = CoolMOS™ C7 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-źródło = ...
Infineon
IPZ60R040C7XKSA1
od PLN 33,016*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 47A; 278W; ISOPLUS247™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS247™ Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 47A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 278W Polaryzacja: unip...
IXYS
IXKR47N60C5
od PLN 70,28*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IRF6668TRPBF
od PLN 3,22*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 60A; 431W; PG-TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 431W P...
Infineon
IPW60R045CPFKSA1
od PLN 73,26*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 500 mA SOP 600 V SMD 8.8 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 500 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = SOP Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-ź...
ROHM Semiconductor
R6000ENHTB1
od PLN 1,385*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 50A; 1040W; TO3P (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,16Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,04kW Polaryzacja: unipolar...
IXYS
IXFQ50N60P3
od PLN 24,08*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 54 A TO-247-4 700 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 54 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 700 V Typ opakowania = TO-247-4 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Liczba elementów na układ = 1
Microchip Technology
MSC035SMA070B4
od PLN 55,366*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 5,7A; Idm: 36A; 115W; TO220 (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: NTE Electronics Mont...
NTE Electronics
NTE2995
od PLN 16,15*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 50 A TO-247AC 300 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 50 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 300 V Seria = HEXFET Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ = 1
Infineon
IRF300P227
od PLN 23,694*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   901   902   903   904   905   906   907   908   909   910   911   ..   1531   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.