 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
|
|
od PLN 9,86*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 100V, 170mA, SOT-23 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=BSS123G, Ciągły prąd drenu (Id)=170 mA, Czas narastania=9 ns, Czas opadania=2.4 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=17 ns, Czas opóźnienia włączenia=1.7 ns, Napięcie bramka-źródło... |
|
od PLN 0,82*
za szt. |
|
|
STMicroelectronics STP24N60DM2 MOSFET 1 szt. (2 ofert) Tranzystory MOSFET mocy STM STP_ TO220 Dane techniczne: I(d): 18 A · Ilość kanałów: 1 · Moc (maks) P(TOT): 150 W · Napięcie niszczące U(BR) (DSS): 600 V · R(DS) wł.: 0.2 Ω · Sposób montażu: do mont... |
ST Microelectronics STP24N60DM2 |
od PLN 9,25*
za szt. |
|
|
MOSFET 24 A PDFN56 150 V 65 m.Ω (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd drenu = 24 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Seria = TSM025 Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 65 m.Ω Tryb kanałowy = Rozszerzenie Maksymalne napi... |
Taiwan Semiconductor TSM650N15CR |
od PLN 25 625,175*
za 2 500 szt. |
|
|
|
|
od PLN 4,64*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 0,432*
za szt. |
|
|
STMicroelectronics STP150N10F7 MOSFET 1 szt. (2 ofert) Tranzystory MOSFET mocy STM STP_TO220 Dane techniczne: I(d): 110 A · Ilość kanałów: 1 · Moc (maks) P(TOT): 250 W · Napięcie niszczące U(BR) (DSS): 100 V · R(DS) wł.: 0.0042 Ω · Sposób montażu: do m... |
ST Microelectronics STP150N10F7 |
od PLN 7,57*
za szt. |
|
|
|
Infineon IPB65R150CFDATMA2 |
od PLN 7,943*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 3,13*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 100V, 170mA, SOT-23 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=BSS123L, Ciągły prąd drenu (Id)=170 mA, Czas narastania=18 ns, Czas opadania=5 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=31 ns, Czas opóźnienia włączenia=3.4 ns, Napięcie bramka-źródło=... |
|
od PLN 0,137*
za szt. |
|
|
MOSFET 24 A PDFN56 150 V 65 m.Ω (1 Oferta) Tranzystory MOSFET z jednokanalowym zasilaniem Taiwan Semiconductor N to „tranzystory polowe półprzewodnikowe z tlenkiem metalu”;. Tranzystory MOSFET są urządzeniami tranzystorowymi sterowanymi prz... |
Taiwan Semiconductor TSM650N15CR |
od PLN 9,80*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 8,74*
za szt. |
|
|
MOSFET 24 A PG-TDSON-8 650 V SMD (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd drenu = 24 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = PG-TDSON-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy |
Infineon IPLK60R360PFD7ATMA1 |
od PLN 3,88*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 4,472*
za szt. |
|
|
|
Texas Instruments UCC21521ADW |
od PLN 17,66*
za szt. |
|
|
