![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
Fotografia | | | | Zamów |
![](/p.gif) |
|
|
|
|
od PLN 0,513* za szt. |
|
|
MOSFET 20 A PG-HDSOP-10 650 V SMD (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd drenu = 20 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = PG-HDSOP-10 Typ montażu = Montaż powierzchniowy |
Infineon IPDD60R125G7XTMA1 |
od PLN 12,697* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 6,53* za szt. |
|
|
MOSFET ON Semiconductor MMBFJ202 N/A N/A MMBFJ202 (3 ofert) MOSFET ON Semiconductor | MMBFJ202 Dane techniczne: Ilość kanałów: 1 · Kod producenta: OnS · Maksymalna temperatura robocza: +150 °C · Minimalna temperatura robocza: -55 °C · Moc (maks) P(TOT): 350... |
|
od PLN 0,381* za szt. |
|
|
MOSFET 20 A PG-TDSON 60 V SMD (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd drenu = 20 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PG-TDSON Typ montażu = Montaż powierzchniowy |
Infineon IPG20N06S4L11ATMA2 |
od PLN 4,691* za szt. |
|
|
|
Texas Instruments LM25101AMR/NOPB |
od PLN 11,48* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 5,15* za szt. |
|
|
MOSFET 20 A PG-TDSON 60 V SMD (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd drenu = 20 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PG-TDSON Typ montażu = Montaż powierzchniowy |
Infineon IPG20N06S4L11ATMA2 |
od PLN 13,925* za 5 szt. |
|
|
|
Infineon IPP030N10N3GXKSA1 |
od PLN 15,16* za szt. |
|
|
MOSFET 20,7 A PG-TO220 650 V SMD (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd drenu = 20,7 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = PG-TO220 Typ montażu = Montaż powierzchniowy |
|
od PLN 15,334* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 4,325* za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 100V, 100A, TO-220AB (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=DIT100N10, Ciągły prąd drenu (Id)=100 A, Czas narastania=50 ns, Czas opadania=55 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=40 ns, Czas opóźnienia włączenia=15 ns, Napięcie bramka-źródło... |
|
od PLN 4,92* za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 280mA, SOT-23 (4 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=NDS7002A, Ciągły prąd drenu (Id)=280 mA, Czas opóźnienia wyłączenia=20 ns, Czas opóźnienia włączenia=20 ns, Napięcie bramka-źródło=20 V, Napięcie źródłowe drenu (Vds)=60 V, R... |
|
od PLN 0,213* za szt. |
|
|
MOSFET 200 mA PG-SOT 60 V SMD (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd drenu = 200 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PG-SOT Typ montażu = Montaż powierzchniowy |
Infineon SN7002NH6433XTMA1 |
od PLN 0,397* za szt. |
|
|
|
Texas Instruments UCC21520ADW |
od PLN 14,15* za szt. |
|
|