Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 951 ofert spośród 4 926 735 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 68A; Idm: 318A; 833W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247MAX Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 68A Rezystancja w stanie przewodzenia: 35mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 833W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT106N60B2C6
od PLN 72,82*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 500 mA X2-DFN1006 20 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 500 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = X2-DFN1006 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3
Diodes
DMN2991UFB4-7B
od PLN 1 727,00*
za 10 000 szt.
 
 opakowanie
Infineon
IPW60R070P6XKSA1
od PLN 20,862*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 50A; 660W; TO3P; 195ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 195ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 73mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 660W Po...
IXYS
IXFQ50N60X
od PLN 27,52*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 50 A TO-252 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 50 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = TO-252 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
ROHM Semiconductor
RD3L03BBGTL1
od PLN 2,511*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 49A; Idm: 272A; 481W; D3PAK (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 49A Rezystancja w stanie przewodzenia: 41mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 481W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT77N60SC6
od PLN 57,38*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 55 A TO-247-4L 1200 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 55 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = TO-247-4L Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Tryb kanałowy = Rozszerzenie ...
ROHM Semiconductor
SCT3040KRHRC15
od PLN 80,223*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 6A; 45W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,75Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 45W Polary...
Taiwan Semiconductor
TSM10NC60CF C0G
od PLN 3,76*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 51 A 8 x 8LR 600 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 51 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = 8 x 8LR Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzeni...
Vishay
SIHR080N60E-T1-GE3
od PLN 72 055,14*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 55A; 625W; ISOPLUS264™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS264™ Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 55A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 625W Polaryzacja: unip...
IXYS
IXFL82N60P
od PLN 92,40*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 50 A TO-3PF 600 V SMD 0.083 Ω (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET z zasilaniem ROHM ma TYP OPAKOWANIA TO-220FM. Jest on używany głównie do przełączania.Niska rezystancja w stanie włączenia Szybkie przełączanie Ułatwienie pracy równoległej Bez Pb...
ROHM Semiconductor
R6050JNZC17
od PLN 31,499*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPD60R600P7ATMA1
od PLN 1,88*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 55,9 A 1212-8S 100 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 55,9 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = 1212-8S Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerze...
Vishay
SISS5110DN-T1-GE3
od PLN 4,122*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 6A; 51W; PG-TO252-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TO252-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,536Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 51W P...
Infineon
IPD60R280CFD7
od PLN 6,94*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 51 A D2PAK (TO-263) 55 V SMD 0.0136 Ω (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET o dużej mocy Infineon Strong jest zoptymalizowany pod kątem niskich RDS (włączony) i wysokich prądów. Idealnie nadaje się do zastosowań o niskiej częstotliwości wymagających wydaj...
Infineon
IRFZ46ZSTRLPBF
od PLN 2 047,776*
za 800 szt.
 
 opakowanie
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   901   902   903   904   905   906   907   908   909   910   911   ..   1531   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.