| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2144463 Nr producenta: IRFZ46ZSTRLPBF EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Tranzystor MOSFET o dużej mocy Infineon Strong jest zoptymalizowany pod kątem niskich RDS (włączony) i wysokich prądów. Idealnie nadaje się do zastosowań o niskiej częstotliwości wymagających wydajności i wytrzymałości.Jest zoptymalizowany pod kątem synchronicznej prostowania Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 51 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55 V | Typ opakowania: | D2PAK (TO-263) | Seria: | HEXFET | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0.0136 Ω | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 4V | Liczba elementów na układ: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |