Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 968 ofert spośród 4 918 863 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 56 A TO-247N 750 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 56 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 750 V Typ opakowania = TO-247N Typ montażu = Otwór przezierny
ROHM Semiconductor
SCT4026DEHRC11
od PLN 48,025*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 9,2A; 30W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 9,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,45Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 30W Pol...
Infineon
IPA60R450E6XKSA1
od PLN 3,64*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 55 A TO-247 1200 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 55 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ = 1
Infineon
IMW120R040M1HXKSA1
od PLN 42,219*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 0,45A; 0,7W; TO92 (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: THT Obudowa: TO92 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,45A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,7W Polaryzacj...
Diodes
ZVN2106ASTZ
od PLN 1,27*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 557 A D2PAK-7 40 V SMD 0.00065 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 557 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = D2PAK-7 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Maksymalna rezystancja dren...
Infineon
IRL40SC228
od PLN 11,003*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 540 mA SOT-23 55 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 540 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 55 V Typ opakowania = SOT-23 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ = 1
Infineon
BSS670S2LH6433XTMA1
od PLN 0,236*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 56,7 A SO-8L 100 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 56,7 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = SO-8L Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Tryb kanałowy = Rozszerzeni...
Vishay
SIJ4108DP-T1-GE3
od PLN 4,77*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 55 A TO-247-4 650 V 0.05 Ω (1 Oferta) 
The ON Semiconductor SiC Power series MOSFET uses a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to silicon. In addition, the low ON resista...
onsemi
NTH4L045N065SC1
od PLN 35,669*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 0,6A; 1,1W; SOT89 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SOT89 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,1W Polaryzacja: unipolarny R...
IXYS
CPC3701CTR
od PLN 1,43*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 56 A DPAK (TO-252) 55 V SMD 160000 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 56 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 55 V Typ opakowania = DPAK (TO-252) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja...
Infineon
IRFR2405TRPBF
od PLN 3,577*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 540 mA X2-DFN0604-3 20 V 0.99 O. (2 ofert) 
Seria DiodesZetex DMN3006SCA6 to N-kanałowy MOSFET. Jest on używany do zarządzania akumulatorem, przełącznika obciążenia i ochrony akumulatoraNiska pojemność wejściowa Wysoka szybkość przełączania
Diodes
DMN2991UFO-7B
od PLN 0,097*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 7A; 62,5W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,38Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 62,5W Pola...
Taiwan Semiconductor
TSM60NB380CF C0G
od PLN 5,83*
za szt.
 
 szt.
Infineon
BSC112N06LDATMA1
PLN 12 682,00*
za 5 000 szt.
 
 zezwój
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 90A; 1100W; TO264; 210ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 210ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 90A Rezystancja w stanie przewodzenia: 38mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,1kW ...
IXYS
IXFK90N60X
od PLN 54,68*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 55 A TO-247-4L 1200 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 55 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = TO-247-4L Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Tryb kanałowy = Rozszerzenie ...
ROHM Semiconductor
SCT3040KRHRC15
od PLN 80,603*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   901   902   903   904   905   906   907   908   909   910   911   ..   1532   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.